Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂
Дата
2012
ORCID
DOI
Науковий ступінь
Рівень дисертації
Шифр та назва спеціальності
Рада захисту
Установа захисту
Науковий керівник
Члени комітету
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Наука
Анотація
Методами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO₂. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO₂. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO₂.
Опис
Ключові слова
диоксид гафния, модификация моноклинная, эпитаксия гидридная, наслаивание молекулярное, осаждение импульсное, осаждение лазерное
Бібліографічний опис
Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂ / А. Г. Багмут [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2012. – Т. 38, вып. 1. – С. 45-50.