Кафедра "Фізика"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef
Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .
У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.
Переглянути
33 результатів
Результати пошуку
Документ Механические и гальваномагнитные свойства поликристаллов сурьма-висмут(Інститут електронної фізики НАН України, 2017) Дорошенко, Анна Николаевна; Сосницкая, Н. В.; Рогачева, Елена ИвановнаДокумент Исследование механизма дефектообразования в полупроводниковых твердых растворах на основе теллурида свинца(Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, 2009) Водорез, Ольга Станиславовна; Пинегин, Владимир Иванович; Рогачева, Елена ИвановнаДокумент Влияние прессования и старения на микротвердость и коэффициент Зеебека твердых растворов PbTe–Bi₂Te₃(Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, 2010) Водорез, Ольга Станиславовна; Месечко, Анна Александровна; Щуркова, Наталия Васильевна; Рогачева, Елена ИвановнаИсследовано влияние прессования и старения в течение 25 лет при комнатной температуре на микротвердость Н и коэффициент Зеебека S олупроводниковых твердых растворов PbTe-Bi₂Te₃ в интервале концентраций 0-10 мол.% Bi₂Te₃. Показано, что независимо от способа приготовления (литые или горячепрессованные образцы) общий характер зависимостей Н и S от состава сохраняется. Установлено, что прессование практически не влияет на величину коэффициента Зеебека и концентрацию электронов, старение приводит к незначительному росту значений S, а микротвердость после прессования и старения снижается.Документ Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2010) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Волобуев, В. В.; Федоров, А. Г.При комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).Документ Размерный эффект в тонких пленках селенида свинца(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2010) Рогачева, Елена Ивановна; Ольховская, Светлана Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Федоров, А. Г.Рассмотрено влияние толщины пленок селенида свинца (5,5-420 нм) на их кинетические коэффициенты при комнатной температуре. Установлено, что с ростом толщины при ~ 20 нм имеет место смена типа проводимости с дырочной на электронную. Электропроводность и подвижность носителей заряда возрастают при увеличении толщины пленок до ~ 150 нм и в дальнейшем практически не меняются с толщиной, что трактуется как проявление классического размерного эффекта. Результаты теоретического расчета зависимости электропроводности от толщины пленок с использованием теории Фукса-Зондгеймера достаточно хорошо согласуются с полученными экспериментальными данными.Документ Термоэлектрические и механические свойства полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ (x = 0-0.07)(Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Рогачева, Елена Ивановна; Мартынова, К. В.; Бондаренко, А. С.Исследованы зависимости термоэлектрических свойств и микротвердости от состава поликристаллических полупроводниковых твердых растворов (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ в интервале концентраций x = 0-0.07 при комнатной температуре. Обнаружен резкий рост микротвердости при одновременном снижении коэффициента Холла, коэффициента Зеебека и электропроводности при увеличении содержания сурьмы до x = 0.005-0.01, после чего при дальнейшем возрастании x до x = 0.01-0.015 характер зависимостей изменяется на обратный. Наблюдаемый эффект связывается с высокой степенью разупорядочения кристаллической решетки при введении первых порций примеси и последующими процессами релаксации при образовании перколяционных каналов в примесной подсистеме кристалла. При дальнейшем увеличении x коэффициент Холла и коэффициент Зеебека практически не изменяются с составом, а наблюдаемый при этом более сложный характер зависимости микротвердости и электропроводности от x интерпретируется как проявление процессов ближнего упорядочения в твердом растворе.Документ Термоэлектрические свойства поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ в интервале концентраций x = 0-0.25(Інститут термоелектрики НАН України, 2016) Дорошенко, А. Н.; Рогачева, Елена Ивановна; Дроздова, Анна Анатольевна; Мартынова, К. В.; Меньшов, Ю, В.Проведено детальное исследование зависимости термоэлектрических свойств поликристаллических твердых растворов Bi₁₋ₓSbₓ от состава в широком интервале концентраций (x = 0-0.25) при комнатной температуре. Объекты исследования – литые образцы различного состава, полученные ампульным методом в одном технологическом цикле, состоящем в охлаждении ампул с расплавами на воздухе и последующем длительном гомогенизирующем отжиге при температуре (520 ± 5) К в течение 720 часов. Показано, что зависимости свойств от состава носят отчетливо выраженный немонотонный характер. Подтверждено наличие концентрационных аномалий термоэлектрических свойств, наблюдаемых ранее в интервале x = 0-0.1 на литых образцах после других видов термической обработки и интерпретируемых как проявление электронных фазовых переходов. Сложный характер зависимостей при x > 0.1 объясняется качественными изменениями в зонной структуре Bi₁₋ₓSbₓ при определенных критических составах, изменением относительного вклада в проводимость носителей заряда из различных энергетических зон при изменении концентрации сурьмы и высокой чувствительностью энергетического спектра и физических свойств Bi₁₋ₓSbₓ к внешним воздействиям.Документ Структура тонких пленок p-Bi₂Se₃, полученных термическим испарением в вакууме из одного источника(Інститут термоелектрики НАН України, 2015) Рогачева, Елена Ивановна; Будник, А. В.; Федоров, А. Г.; Кривоногов, С. И.; Матейченко, П. В.С использованием методов рентгеновской дифрактометрии, сканирующей электронной микроскопии, энергодисперсионной спектрометрии и атомной силовой микроскопии исследованы механизм роста, микроструктура и кристаллическая структура тонких пленок Bi₂Te₃ с толщинами d = 28-620 нм, полученных термическим испарением в вакууме кристаллов Bi₂Te₃ стехиометрического состава на стеклянные подложки. Полученные тонкие пленки были поликристаллическими, обладали р-типом проводимости и не содержали других фаз, кроме Bi₂Te₃. Показано, что с увеличением толщины пленок размер кристаллитов увеличивается до ~ 700-800 нм. Установлено, что преобладающим направлением роста кристаллитов является направление [00l], соответствующее направлению тригональной оси С₃ в гексагональной решетке. С увеличением толщины пленок свыше ~ 200-250 нм наряду с отражениями от плоскостей (00l) появляются отражения от других плоскостей, свидетельствующие о некоторой разориентации кристаллитов. Полученные результаты показывают, что, используя простой и недорогой метод термического испарения из одного источника и оптимальные технологические параметры, можно получить тонкие пленки p-Bi₂Te₃ достаточно высокого качества.Документ Особенности концентрационных зависимостей теплопроводности в полупроводниковых твердых растворах (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ(Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Водорез, Ольга Станиславовна; Нащекина, Ольга Николаевна; Дресселхаус, М. С.Для полупроводниковых твердых растворов (PbTe)₁₋ₓ (Bi₂Te₃)ₓ получены температурные (T = 250-670 К) и концентрационные (x = 0 – 0.07) зависимости общей λ и решеточной λp теплопроводностей. Установлено, что в исследуемом интервале составов зависимости λ(x), λp(x) и β(x) (где β – степенной коэффициент в зависимости λp ~ T-β) имеют немонотонный характер. При общей тенденции к уменьшению с увеличением x все три характеристики – λ, λp и β – обнаруживают максимумы при x = 0.005, 0.015 и x = 0.03. Осциллирующий характер этих зависимостей связывается с изменениями в процессах теплопереноса и механизмах рассеяния фононов при переходе от разбавленных к концентрированным и ассоциированным твердым растворам, с переходами, связанными с процессами пространственного упорядочения. На основе экспериментальных данных и на основе теоретических расчетов с использованием теории Клеменса произведена оценка эффективного сечения рассеяния фононов σs примесными атомами. Среднее значение σs в пределах области гомогенности PbTe (x = 0-0.05), определенное экспериментально, совпадает с теоретически рассчитанным значением. Однако в области разбавленных твердых растворов (x < 0.005), значение σs значительно превышает среднее значение σs. Показано, что длительное старение уменьшает λ на ~ 15 %.Документ Размерные эффекты в тонких пленках GeTe(Інститут термоелектрики НАН України, 2014) Рогачева, Елена Ивановна; Николаенко, А. А.; Водорез, Ольга Станиславовна; Сипатов, А. Ю.; Григоров, С. Н.; Федоров, А. Г.Исследованы зависимости электропроводности σ, коэффициента Зеебека S, коэффициента Холла Rн, подвижности носителей заряда μн и термоэлектрической мощности P = S2σ от толщины d (d = 5-210 нм) тонких пленок GeTe, выращенных методом термического испарения в вакууме кристаллов GeTe с последующей конденсацией на подложки (001) KCl при температуре TS = 520 К. Для пленок различных толщин получены температурные зависимости σ, Rн и μн в интервале 80-300 К и определен степенной коэффициент ν в зависимости μн(Т). Методами электронной микроскопии и электронографии показано, что пленки обладают ромбоэдрической структурой, отвечающей низкотемпературной α-модификации GeTe, и растут с преимущественной ориентацией (111) и (111) (111) || (001) KСl. Установлено, что с ростом толщины пленок до ~ 100-150 нм значения σ, μн и ν монотонно увеличиваются, зависимости Rн(d), S(d) и P(d) имеют вид кривых с максимумом при ~ 75 нм, а при дальнейшем увеличении d кинетические коэффициенты практически не изменяются. Наличие зависимости свойств от толщины пленок свидетельствует о проявлении в пленках GeTe классического размерного эффекта. Теоретический расчет зависимости σ(d), проведенный в рамках теории Фукса-Зондгеймера, хорошо согласуется с экспериментальными данными. Установлено, что концентрации дырок в пленках ниже, а значения S и P выше, чем в массивном кристалле. Максимальные значения Р достигаются при d ~ 75 нм.