Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

2006 - 200932010 - 201911

Налаштування

Кінцева дата: 2019Ключові слова: search.filters.subject.електропровідність

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 14
  • Ескіз
    Документ
    Кінетичні властивості полікристалів Bi1-ХSbХ у інтервалі концентрацій х = 0.0475 – 0.095
    (Львівський національний університет імені Івана Франка, 2017) Богданов, Юрій Сергійович; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Вплив пресування на термоелектричні властивості напівпровідникових твердих розчинів
    (Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2016) Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Термоелектрична добротність холоднопресованого телуриду сурми
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Кінетичні властивості твердих розчинів Bi₁₀₀₋ᵪ Sbᵪ в області малих концентрацій сурми
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2014) Мартинова, Катерина Вікторівна; Рогачова, Олена Іванівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна
  • Ескіз
    Документ
    Екстремальна поведінка термоелектричних властивостей твердих розчинів Sb1 XBiX
    (Інститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова, 2015) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Сосницька, Н. В. ; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Екстремальна поведінка кінетичних властивостей твердих розчинів Bi1 XSbX
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2014) Мартинова, Катерина Вікторівна; Дорошенко, Ганна Миколаївна; Рогачова, Олена Іванівна
  • Ескіз
    Документ
    Електроннi властивостi твердих розчинiв PbTe–PbSe
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2012) Мартинова, Катерина Вікторівна; Водоріз, Ольга Станіславівна; Рогачова, Олена Іванівна
    Одержано залежностi електропровiдностi та рухливостi носiїв заряду твердих розчинiв PbTe–PbSe вiд складу в iнтервалi концентрацiй 0-3 мол.% PbSe. Дослiдження електропровiдностi проводилося методом Ван дер Пау на пресованих вiдпалених зразках за кiмнатної температури. Встановлено, що залежностi мають немонотонний характер в iнтервалi 0.5-1.2 мол.% PbSe, який припустимо пов'язується iз критичними явищами, що супроводжують фазовий перехiд вiд розбавлених до концентрованих твердих розчинiв. Проведена оцiнка радiуса деформацiйної сфери.
  • Ескіз
    Документ
    Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Дзюбенко, Наталя Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна
    Досліджено вплив міді на структуру, механічні, електрофізичні та термоелектричні властивості телуриду олова з різним ступенем відхилення від стехіометрії. З'ясовано, що у разі збільшення концентрації дефектів нестехіометрії розчинність Cu у SnTe зростає. Залежності властивостей від концентрації Cu при фіксованій нестехіометрії мають немонотонний характер, засвідчуючи зміну механізму розчинення. Припускається, що за малого вмісту Cu основним механізмом входження міді у кристалічну ґратку є локалізація атомів Cu у міжвузловинах, а за подальшого збільшення концентрації Cu – заповнення катіонних вакансій та утворення дефектів заміщення.
  • Ескіз
    Документ
    Температурні залежності термоелектричних властивостей твердих розчинів PbTe–SnTe
    (Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Калашнік, Н.; Рогачова, Олена Іванівна
    Досліджено температурні залежності (300-650 К) електропровідності σ та теплопровідності λ нелегованих стехіометричних твердих розчинів PbTe–SnTe (0–60 мол.% SnTe). З'ясовано, що у разі підвищення температури σ знижується, а температурні залежності λ мають вигляд кривих з мінімумом. Визначено внески у загальну теплопровідність λ електронної, ґраткової, фотонної та біполярної складових. Встановлено, що введення в PbTe 10-15 мол.% SnTe призводить до зниження λ майже удвічі при усіх температурах. Оцінено термоелектричну добротність.
  • Ескіз
    Документ
    Temperature dependences and isotherms of galoanomagnetic properties of Bi doped PbTe crystals and thin films
    (Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2006) Rogacheva, E. I.; Lyubchenko, S. G.; Vodorez, O. S.
    The temperature dependences of galvanomagnetic properties (the Hall coefficient, electrical conductivity, charge carrier mobility) of (PbTe)₁₀₀₋ₓBiₓ (x = 0-1) alloys obtained by doping PbTe with elementary Bi and thin films prepared from these alloys were studied in the temperature range 80-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of the properties on the Bi concentration, which had been observed earlier at room temperature, is preserved at lower temperatures. This confirms our earlier suggestion about the self-organization processes taking place in the defect subsystem of the crystal at certain Bi concentrations.