Кафедра "Фізика"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef
Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .
У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.
Переглянути
14 результатів
Результати пошуку
Документ Mechanical and Thermoelectric Properties of PbSe1-xTex Solid Solutions(Ivan Franko National University of Lviv, 2018) Vodoriz, O. S.; Tavrina, T. V.; Rogachova, O. I.The microhardness, Seebeck coefficient and electrical conductivity of PbSe1-xTex (x = 0 – 0.045) solid solutions were investigated at room temperature. In the range of small concentrations of PbTe (in the vicinity of x = 0.01 and x = 0.02) an anomalous decrease in microhardness, increase in Seebeck coefficient and electrical conductivity were registered. The concentration anomalies were interpreted as the transition from diluted to concentrated solid solutions when the interaction between impurity atoms starts to make a significant contribution to the change of the properties of materials.Документ Electrical conductivity and Hall mobility of Bi2Se3 thin films with different thicknesses(Publishing House "UKRPOL" Ltd, 2018) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.Публікація Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films(Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.Документ Thermoelectric properties of cold-pressed (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ semiconductor solid solutions(FOP Panov A. M., 2017) Martynova, K. V.; Rogacheva, E. I.Документ Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Дзюбенко, Наталя Іванівна; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив міді на структуру, механічні, електрофізичні та термоелектричні властивості телуриду олова з різним ступенем відхилення від стехіометрії. З'ясовано, що у разі збільшення концентрації дефектів нестехіометрії розчинність Cu у SnTe зростає. Залежності властивостей від концентрації Cu при фіксованій нестехіометрії мають немонотонний характер, засвідчуючи зміну механізму розчинення. Припускається, що за малого вмісту Cu основним механізмом входження міді у кристалічну ґратку є локалізація атомів Cu у міжвузловинах, а за подальшого збільшення концентрації Cu – заповнення катіонних вакансій та утворення дефектів заміщення.Документ Температурні залежності термоелектричних властивостей твердих розчинів PbTe–SnTe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Калашнік, Н.; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено температурні залежності (300-650 К) електропровідності σ та теплопровідності λ нелегованих стехіометричних твердих розчинів PbTe–SnTe (0–60 мол.% SnTe). З'ясовано, що у разі підвищення температури σ знижується, а температурні залежності λ мають вигляд кривих з мінімумом. Визначено внески у загальну теплопровідність λ електронної, ґраткової, фотонної та біполярної складових. Встановлено, що введення в PbTe 10-15 мол.% SnTe призводить до зниження λ майже удвічі при усіх температурах. Оцінено термоелектричну добротність.Документ Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2010) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Волобуев, В. В.; Федоров, А. Г.При комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).Документ Влияние атмосферного кислорода на состав и кинетические свойства тонких плёнок висмута(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2017) Добротворская, М. В.; Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена ИвановнаМетодами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и измерения электрических и гальваномагнитных свойств исследовано влияние атмосферного кислорода на состав и свойства плёнок висмута толщиной d = 10-200 нм. Свойства двух серий свежеприготовленных плёнок (с защитным покрытием EuS и без защитного покрытия) сравнивались с характеристиками этих плёнок после длительного (в течение 9 лет) пребывания на воздухе при комнатной температуре. Установлено, что в плёнках Bi без покрытия имеет место неравномерное по глубине окисление с образованием оксида висмута Bi₂O₃. При этом значения коэффициента Холла Rн и магнетосопротивления Δρ/ρ, а также их температурные зависимости практически не изменяются после пребывания в воздушной атмосфере, а электропроводность σ снижается и тем значительнее, чем тоньше плёнка. С другой стороны, после длительного пребывания на воздухе в плёнках, покрытых сульфидом европия, Bi присутствует только в металлическом состоянии, а σ, Rн и Δρ/ρ остаются практически неизменными. Из полученных результатов следует, что при наличии защитного покрытия даже очень длительное пребывание на воздухе при комнатной температуре не приводит к изменению химического состава и кинетических свойств плёнок висмута.Публікація Effect of Deviation from Stoichiometry on Thermoelectric Properties of Bi₂Te₃ Polycrystals and Thin Films in the Temperature Range 77-300 K(Сумський державний університет, 2019) Rogacheva, E. I.; Novak, K. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Budnik, A. V.Bi₂Te₃ semiconductor compound and Bi₂Te₃-based solid solutions are presently among the best lowtemperature thermoelectric materials. One of the methods of controlling the conductivity type and properties of Bi₂Te₃ is changing the stoichiometry of this compound. Earlier, we have obtained the room-temperature dependences of mechanical and thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals on the degree of deviation from stoichiometry. The goal of this work is to investigate the behavior of such dependences at other temperatures. Bismuth telluride polycrystals with compositions in the range of 59.6-67.5 at. % Te were obtained, and for all the crystals the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, electrical conductivity and charge carrier mobility were measured in the temperature range 77-300 K. On the basis of the temperature dependences, the isotherms of kinetic coefficients were plotted. It was found that similar to the room-temperature isotherms, the isotherms at lower temperatures were non-monotonic: they exhibited inversion of the conductivity sign between 60.5 and 61.0 at. % Te and extrema near 60.0 and 63.0 at. % Te. The experimental data are interpreted taking into account changes in the band and defect structures of Bi₂Te₃ under varying stoichiometry. The obtained results make it possible to control thermoelectric properties of Bi₂Te₃ polycrystals in the temperature range 77-300 K by changing the degree of deviation from stoichiometry.Публікація Percolation effects and self-organization processes in Bi₂(Te₁₋ₓSeₓ)₃ solid solutions(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2019) Rogacheva, E. I.; Shelest, T. N.; Martynova, E. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.; Men'shov, Yu. V.The room-temperature dependences of microhardness H, electrical conductivity σ, the Seebeck coefficient S, and thermoelectric power factor P on composition of Bi₂(Te₁₋ₓSeₓ)₃ solid solutions were measured in the concentration range x = 0 - 0.07. In the intervals x = 0.0075 - 0.0175 and x = 0.025 - 0.035, an anomalous decrease in H and S and increase in σ with increasing x were observed. The first concentration-dependent anomaly was attributed to critical phenomena, accompanying a percolation-type phase transition. The percolation threshold xc and the radius of deformation spheres R₀ around Se impurity atoms were estimated. The second anomaly is assumed to be connected with a short-range ordering in the solid solution. The non-monotonic character of the dependences of H on the load on an indenter, whose behavior depended on the impurity concentration, was attributed to the interaction of the deformation fields created by dislocations and impurity atoms.