Кафедра "Фізика"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef
Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .
У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.
Переглянути
18 результатів
Фільтри
Налаштування
Результати пошуку
Документ Effect of aging on thermoelectric properties of the Bi2Te3 polycrystals and thin films(Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів", 2021) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Novak, K. V.; Sipatov, A. Yu.; Khramova, T. I.; Saenko, S. A.The temperature dependences (77-300 K) of the thermoelectric (TE) properties (the Seebeck coefficient S, electrical conductivity σ, Hall coefficient RH, Hall charge mobility μH>, and TE power factor P) were studied for freshly prepared and for exposed to air at room temperature during 5 years p-Bi2Te3 (60.0 at.% Te) and n-Bi2Te3 (62.8 at.% Te) polycrystals and thin films grown from them by thermal evaporation in vacuum. It was found that after aging, in the p- and n-Bi2Te3 bulk crystals and in the n-type film obtained from the n-Bi2Te3 crystal, type of conductivity is reserved but the p-type film obtained from the p-Bi2Te3 crystal, change the type of conductivity from hole to electronic. The activation energies of possible defect states were determined using the RH(T) dependences. After aging, at the temperatures close to room temperature, the p values of n-Bi2Te3 and p-Bi2Te3 polycrystals decreases by ~ 20 %, but p values of the n-type film grown from n-Bi2Te3 crystal increases by 20-30 %. In the p-type film obtained from p-Bi2Te3 polycrystal, and having changed the type of conductivity after aging, the p values exceed the p values of a film obtained from n-Bi2Te3 polycrystal by ~ 35 % at 250 K and by 25 % at 300 K, remaining at these temperatures below the p values for n-Bi2Te3 polycrystal after aging by ~ 15 %.Документ Механічні та термоелектричні властивості напівпровідникових твердих розчинів PbSe1−xTex (x = 0–0,045)(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Водоріз, Ольга Станіславівна; Тавріна, Тетяна Володимирівна; Ніколаєнко, Ганна Олександрівна; Рогачова, Олена ІванівнаОдержано залежності мікротвердості H, коефіцієнта Зеєбека S та електропровідності σ від складу литих і гарячепресованих полікристалів напівпровідникових твердих розчинів заміщення PbSe1−xTex (x = 0–0,045) за кімнатної температури. Встановлено, що всі зразки мають дірковий тип провідності. На залежностях H(x), S(x) і σ(x) спостерігаються концентраційні аномалії властивостей поблизу x = 0,01 та 0,02 як для литих, так і для пресованих зразків. Наявність аномалій пов’язується з ефектами взаємодії атомів в домішковій підсистемі кристалу при переході від розведених до концентрованих твердих розчинів. Показано, що спосіб приготування зразків (литі або гарячепресовані) не впливає на наявність аномальних ділянок на залежностях властивостей від складу твердого розчину, але дещо змінює їх характер. При практичному застосуванні твердих розчинів PbSe1−xTex необхідно приймати до уваги немонотонний характер зміни властивостей.Документ Mechanical and Thermoelectric Properties of PbSe1-xTex Solid Solutions(Ivan Franko National University of Lviv, 2018) Vodoriz, O. S.; Tavrina, T. V.; Rogachova, O. I.The microhardness, Seebeck coefficient and electrical conductivity of PbSe1-xTex (x = 0 – 0.045) solid solutions were investigated at room temperature. In the range of small concentrations of PbTe (in the vicinity of x = 0.01 and x = 0.02) an anomalous decrease in microhardness, increase in Seebeck coefficient and electrical conductivity were registered. The concentration anomalies were interpreted as the transition from diluted to concentrated solid solutions when the interaction between impurity atoms starts to make a significant contribution to the change of the properties of materials.Документ Electrical conductivity and Hall mobility of Bi2Se3 thin films with different thicknesses(Publishing House "UKRPOL" Ltd, 2018) Menshikova, S. I.; Rogacheva, E. I.Публікація Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films(Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.Документ Thermoelectric properties of cold-pressed (Bi₁₋ₓSbₓ)₂Te₃ semiconductor solid solutions(FOP Panov A. M., 2017) Martynova, K. V.; Rogacheva, E. I.Документ Вплив міді та нестехіометрії на структуру та електрофізичні властивості SnTe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Дзюбенко, Наталя Іванівна; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено вплив міді на структуру, механічні, електрофізичні та термоелектричні властивості телуриду олова з різним ступенем відхилення від стехіометрії. З'ясовано, що у разі збільшення концентрації дефектів нестехіометрії розчинність Cu у SnTe зростає. Залежності властивостей від концентрації Cu при фіксованій нестехіометрії мають немонотонний характер, засвідчуючи зміну механізму розчинення. Припускається, що за малого вмісту Cu основним механізмом входження міді у кристалічну ґратку є локалізація атомів Cu у міжвузловинах, а за подальшого збільшення концентрації Cu – заповнення катіонних вакансій та утворення дефектів заміщення.Документ Температурні залежності термоелектричних властивостей твердих розчинів PbTe–SnTe(Львівський національний університет ім. Івана Франка, 2009) Водоріз, Ольга Станіславівна; Калашнік, Н.; Рогачова, Олена ІванівнаДосліджено температурні залежності (300-650 К) електропровідності σ та теплопровідності λ нелегованих стехіометричних твердих розчинів PbTe–SnTe (0–60 мол.% SnTe). З'ясовано, що у разі підвищення температури σ знижується, а температурні залежності λ мають вигляд кривих з мінімумом. Визначено внески у загальну теплопровідність λ електронної, ґраткової, фотонної та біполярної складових. Встановлено, що введення в PbTe 10-15 мол.% SnTe призводить до зниження λ майже удвічі при усіх температурах. Оцінено термоелектричну добротність.Документ Зависимость электропроводности эпитаксиальных пленок твердого раствора Bi₉₁Sb₉ от толщины(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2010) Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена Ивановна; Сипатов, А. Ю.; Волобуев, В. В.; Федоров, А. Г.При комнатной температуре исследовано влияние толщины (d = 7-300 нм) на электропроводность s эпитаксиальных тонких пленок, полученных методом термического испарения в вакууме (10-5-10-6 Па) на подложки из слюды кристаллов твердого раствора висмут-сурьма, содержащих 9 ат.% Sb. Установлено, что рост толщины пленок до d ≈ 200 нм вызывает монотонное увеличение s, после чего с ростом d электропроводность практически не изменяется, т. е. проявляется классический размерный эффект. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Фукса-Зондгеймера позволил оценить длину свободного пробега электронов (l = 900±50 нм) и параметр зеркальности (p = 0.55±0.05).Документ Влияние атмосферного кислорода на состав и кинетические свойства тонких плёнок висмута(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2017) Добротворская, М. В.; Орлова, Дарья Сергеевна; Рогачева, Елена ИвановнаМетодами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии и измерения электрических и гальваномагнитных свойств исследовано влияние атмосферного кислорода на состав и свойства плёнок висмута толщиной d = 10-200 нм. Свойства двух серий свежеприготовленных плёнок (с защитным покрытием EuS и без защитного покрытия) сравнивались с характеристиками этих плёнок после длительного (в течение 9 лет) пребывания на воздухе при комнатной температуре. Установлено, что в плёнках Bi без покрытия имеет место неравномерное по глубине окисление с образованием оксида висмута Bi₂O₃. При этом значения коэффициента Холла Rн и магнетосопротивления Δρ/ρ, а также их температурные зависимости практически не изменяются после пребывания в воздушной атмосфере, а электропроводность σ снижается и тем значительнее, чем тоньше плёнка. С другой стороны, после длительного пребывания на воздухе в плёнках, покрытых сульфидом европия, Bi присутствует только в металлическом состоянии, а σ, Rн и Δρ/ρ остаются практически неизменными. Из полученных результатов следует, что при наличии защитного покрытия даже очень длительное пребывание на воздухе при комнатной температуре не приводит к изменению химического состава и кинетических свойств плёнок висмута.