Кафедра "Системи інформації ім. В. О. Кравця"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7488

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/si

Від 3 червня 2019 року кафедра має назву "Системи інформації ім. В. О. Кравця", первісна назва – "Системи інформації".

Кафедра "Системи інформації" створена 30.06.1993 року у складі факультету автоматики та приладобудування. Від 2004 року входила до складу факультету "Комп’ютерні та інформаційні технології", від 2021 року – Навчально-наукового інженерно-фізичного інституту, від 2022 року – Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Кафедра перейменована на честь її засновника і першого завідувача (1993-2009), кандидата технічних наук, Почесного доктора Мішкольцького університету (Угорщина), академіка Української технологічної академії, Заслуженого працівника освіти України, засновника наукової школи "Інфокомунікаційні системи та технології", професора Кравця Валерія Олексійовича. Від 1989 року по 2014 рік Кравець В. О. плідно працював на посаді проректора з навчальної роботи та міжнародних зв’язків НТУ "ХПІ".

Від 2011 року при кафедрі створено мережеву академію CISCO. Кафедра є співзасновником Учбово-наукового виробничого комплексу (УНВК), що об’єднує понад 25 установ, які працюють в галузі телекомуникації

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора технічних наук, 1 доктор фізико-математичних наук, 5 кандидатів технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора, 5 – доцента, 1 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Взаимодействие потоков заряженных частиц, наведенных ЭМИ, с электромагнитными колебаниями полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор Владимирович
    Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл-диэлектрик-полупроводник. Определены потери энергии потоков заряженных частиц, обусловленные взаимодействием такого рода, на возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
  • Ескіз
    Документ
    Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор Владимирович
    Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
  • Ескіз
    Документ
    Механизмы отказов полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при воздействии внешнего электромагнитного излучения
    (НТУ "ХПИ", 2014) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
    Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Определены механизмы генерации колебаний полупроводниковых структур, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях воздействия стороннего электромагнитного излучения.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние внешних электромагнитных факторов на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий
    (НТУ "ХПИ", 2014) Кравченко, Владимир Иванович; Коробко, Анатолий Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович
    Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых структур в условиях воздействия электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения (ЭМИ) на электрорадиоизделия часто сопровождаются появлением токов в проводящих элементах изделий и появлением внутренних полей.