Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 14

Взрывная кристаллизация плёнок аморфного кобальта в сильном неоднородном магнитном поле
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Зубарев, Евгений Николаевич; Самофалов, Владимир Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Севрюков, Д. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Мамон, В. В.; Храмова, Татьяна Ивановна; Сабов, Т. М.; Дубиковский, А. В.; Оберемок, А. С.; Косуля, О. В.
Исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных плёнок кобальта, выращенных на аморфном углероде в отсутствии и при наличии сильного неоднородного магнитного поля. Установлено, что ключевым фактором для реализации взрывной кристаллизации является углерод, поступающий в плёнку кобальта из работающего С-магнетрона во время осаждения слоя кобальта. Легирование растущей плёнки кобальта атомами углерода приводит к затягиванию стадии существования кобальта в аморфно-кластерном состоянии до большей номинальной толщины плёнки. Магнитное поле не оказывает влияния на содержание углерода в плёнках кобальта, которое примерно одинаково и составляет 3–5 ат.%. Показано, что неоднородное магнитное поле увеличивает критическую толщину, при которой начинается взрывная кристаллизация. В плёнках, полученных без магнитов в вакуумной камере, взрывная кристаллизация реализуется в интервале номинальных толщин от 8,0 до 8,5 нм. В плёнках, полученных непосредственно на магните, процесс взрывной кристаллизации происходит в интервале номинальных толщин от 10,0 до 10,5 нм.
Использование вольфрама в качестве барьерного слоя в многослойных рентгеновских зеркалах Sc/Si
(Сумський державний університет, 2018) Першин, Юрий Павлович; Чумак, В. С.; Зубарев, Евгений Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Seely, J. F.
Методами рентгеновской дифракции (λ = 0,154 нм), просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов и рефлектометрии в мягкой рентгеновской области (λ = 25-50 нм) исследованы барьерные свойства слоев вольфрама толщиной 0,1-2,1 нм в многослойных рентгеновских зеркалах (МРЗ) Sc/W/Si, изготовленных методом прямоточного магнетронного распыления. Показано, что слои вольфрама толщиной 0,6-0,8 нм отделяют слои Sc и Si и препятствуют образованию перемешанной зоны ScSi. Вольфрам, взаимодействуя со слоями Si, формирует аморфную прослойку, толщина которой меньше толщины перемешанных зон ScSi, образующихся в МРЗ Sc/Si без барьеров. При tW < 0,5 нм вольфрам на скандии не образует сплошную пленку. Введение барьерных слоев толщиной t = 0,3-0,8 нм приводит к росту отражательной способности в мягкой рентгеновской области ( λ ~ 38 нм), по меньшей мере, в 2,5 раза по сравнению с МРЗ Sc/Si. Максимальный коэффициент отражения (R ~ 25%, λ ~ 38 нм) наблюдается при введении барьерных слоев толщиной tW ~ 0,54 нм. Обсуждаются пути дальнейшего усовершенствования технологии нанесения барьерных слоев и по вышения отражательной способности МРЗ Sc/Si
Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si
(Сумський державний університет, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.
Особенности формирования многослойных периодических систем Mo/Si при различных давлениях рабочего газа
(Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2009) Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна
Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi2/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
(Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", 2006) Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Польцева, О. В.; Пономаренко, А. Г.; Кондратенко, Валерий Владимирович; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
С помощью электронной микроскопии поперечных срезов и малоугловой рентгеновской дифрактометрии исследованы начальные стадии ионно-лучевого перемешивания в многослойных периодических композициях Mo/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия с энергией 40 кэВ. Показано отсутствие перемешивания в фазово-равновесной системе MoSi2/Si. Начало процесса ионно-лучевого перемешивания в композициях Mo/Si обусловлено наличием в исходном состоянии перемешанных зон между молибденом и кремнием. Введение углеродных барьерных слоев между молибденом и кремнием препятствует формированию перемешанных зон и повышает радиационную стойкость. Установлена зависимость изменения толщин слоев многослойного покрытия от дозы облучен
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg2Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750⁰C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg2Si слои Si – аморфные. Слои Mg2Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450⁰C наблюдается кристаллизация слоёв Mg2Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg2Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600⁰C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.
Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Воронов, Д. Л.; Девизенко, Александр Юрьевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пеньков, А. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения.
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Кондратенко, Валерий Владимирович
Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
Апериодические многослойные структуры в оптике мягкого рентгеновского излучения
(Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН, 2012) Вишняков, Е. А.; Каменец, Ф. Ф.; Кондратенко, Валерий Владимирович; Лугинин, М. С.; Панченко, А. В.; Першин, Юрий Павлович; Пирожков, А. С.; Рагозин, Е. Н.
Представлен обзор работ, посвященных созданию апериодических многослойных структур – оптических элементов для мягкого рентгеновского диапазона. Исследованы возможности апериодических многослойных зеркал относительно отражения мягкого рентгеновского излучения в широком диапазоне длин волн, прежде всего при нормальном падении излучения, а также возможности широкополосных зеркал-поляризаторов. Приведены результаты многопараметрических оптимизационных расчетов и экспериментальные результаты для апериодических зеркал на основе структуры Mo/Si (l ³ 12.5 нм), а также расчеты для ряда перспективных пар материалов (Pd/Y, Ag/Y и др.) и l £ 12.5 нм. Рассмотрено влияние переходных слоев на коэффициент отражения, в том числе путем учета плавного изменения диэлектрической проницаемости на границах раздела. Обсуждается применение широкополосных зеркал в лазерно-плазменных спектроскопических экспериментах
Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B4C
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2012) Копылец, Игорь Анатольевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Зубарев, Евгений Николаевич; Рощупкин, Д. В.
Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-Kα-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B4C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4 ± 0.7 g/cm3 и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B4C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме