Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 8 з 8

Взрывная кристаллизация плёнок аморфного кобальта в сильном неоднородном магнитном поле
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2020) Зубарев, Евгений Николаевич; Самофалов, Владимир Николаевич; Девизенко, Александр Юрьевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Севрюков, Д. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Мамон, В. В.; Храмова, Татьяна Ивановна; Сабов, Т. М.; Дубиковский, А. В.; Оберемок, А. С.; Косуля, О. В.
Исследован механизм взрывной кристаллизации аморфных плёнок кобальта, выращенных на аморфном углероде в отсутствии и при наличии сильного неоднородного магнитного поля. Установлено, что ключевым фактором для реализации взрывной кристаллизации является углерод, поступающий в плёнку кобальта из работающего С-магнетрона во время осаждения слоя кобальта. Легирование растущей плёнки кобальта атомами углерода приводит к затягиванию стадии существования кобальта в аморфно-кластерном состоянии до большей номинальной толщины плёнки. Магнитное поле не оказывает влияния на содержание углерода в плёнках кобальта, которое примерно одинаково и составляет 3–5 ат.%. Показано, что неоднородное магнитное поле увеличивает критическую толщину, при которой начинается взрывная кристаллизация. В плёнках, полученных без магнитов в вакуумной камере, взрывная кристаллизация реализуется в интервале номинальных толщин от 8,0 до 8,5 нм. В плёнках, полученных непосредственно на магните, процесс взрывной кристаллизации происходит в интервале номинальных толщин от 10,0 до 10,5 нм.
Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si
(Сумський державний університет, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.
Особенности формирования многослойных периодических систем Mo/Si при различных давлениях рабочего газа
(Харківський національний університет імені В. Н. Каразіна, 2009) Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg2Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750⁰C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg2Si слои Si – аморфные. Слои Mg2Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450⁰C наблюдается кристаллизация слоёв Mg2Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg2Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600⁰C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.
Исследование границ раздела фаз в периодических многослойных структурах Mo/Si с использованием метода масс-спектрометрии нейтральных частиц
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2013) Першин, Юрий Павлович; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Оберемок, А. С.; Мельник, В. П.; Романюк, Б. Н.; Попов, В. Г.; Литвин, П. М.
Исследованы многослойные периодические структуры Мо/Si методами малоугловой рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии и масс-спектрометрии постионизированных нейтральных частиц. Из спектров дифракции рентгеновских лучей определены скорости нанесения слоёв при различных технологических условиях. Моделирование спектров дифракции многослойных структур и сопоставление их с экспериментальными результатами показали, что на границах раздела фаз формируется силицид молибдена. Измерения распределения примесей по толщине подтвердили наличие слоёв силицида на границе раздела фаз, а также обнаружили слои оксидов; проведены оценки толщин последних. Найдены оптимальные режимы распыления структур при послойном примесном масс-спектрометрическом анализе, которые позволили получить разрешающую способность метода по глубине не хуже 1,0 нм при профилировании до глубины 100 нм. Показано, что разрешение этого метода ограничивается формой и шероховатостью дна кратера при ионном травлении и зависит от энергии ионов плазмы и режимов травления.
Начальные стадии перемешивания в многослойных периодических покрытиях Mo/Si при облучении ионами He
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2004) Воронов, Д. Л.; Девизенко, Александр Юрьевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пеньков, А. В.; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Бобков, В. В.; Перегон, Т. И.; Тищенко, Л. П.
С помощью рентгеновской дифракции и электронной микроскопии поперечных срезов исследованны структурные изменения в многослойных периодических композициях Mo/Sі во время облучения ионами He. Установлено, что облучение вызывает уменьшение периода многослойной композиции, которое сопровождается уменьшением толщиныслоев молибдена и кремния, возрастанием толщины перемешанных зон и уменьшением их плотности. В многослойном покрытии развиваются сжимающие напряжения.
Эволюция структуры и механизм термического разрушения многослойных композиций C/Si
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Журавель, Игорь Александрович; Бугаев, Егор Анатольевич; Пеньков, А. В.; Зубарев, Евгений Николаевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Кондратенко, Валерий Владимирович
Исследована структура и фазовый состав многослойных периодических композиций C/Si при помощи малоугловой рентгеновской дифракции, просвечивающей электронной микроскопии и Рамановской спектроскопии при температурах 50—1050 °C. В исходном состоянии композиция C/Si представляет собой аморфные слои углерода и кремния, разделенные аморфными перемешанными зонами различной плотности. С ростом температуры происходит изменение периода композиции вследствие роста зон и графитизации углерода. При 700 °C начинается кристаллизация кремния. При 800 °C на основе кристаллического кремния формируется кристаллический SiC кубической модификации. При 900—1000 °C происходит разрушение периодической структуры композиции.
Эволюция структуры пленок Мо, полученных методом магнетронного распыления на а-Si
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Першин, Юрий Павлович; Цебенко, В. О.