Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 2 з 2
  • Ескіз
    Документ
    Система відбору потужності на основі підвищувальних перетворювачів для фотоелектричної станції
    (ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
    Система відбору потужності фотоелектричної станції складається з елементів, що здійснюють відбір потужності від ФЕМ і елемента для перетворення постійного струму, що генерується ФЕМ у електроенергію промислової частоти. Відбір потужності від ФЕМ здійснюється набором підвищувальних перетворювачів, які збільшують генеровану ФЕМ постійну напругу до значень 600-700В, підвищувальні перетворювачі виконані за резонансною схемою з цифровим керуванням реалізацією алгоритму стеження за точкою максимальної потужності ФЕМ під керуванням мікроконтролера та об'єднані в інформаційну мережу для моніторингу параметрів ФЕМ і самодіагностики, підвищувальні перетворювачі скомутовані паралельно для забезпечення можливості безперебійної роботи системи в разі відмови одного або декількох ФЕМ, а для перетворення генерованої ФЕМ постійної напруги, в електроенергію промислової частоти масив послідовно з'єднаних мікроінверторів замінений на потужний інвертор промислового класу з можливістю зовнішнього керування.
  • Ескіз
    Документ
    Конспект лекцій з дисципліни "Технологічні основи електроніки". Частина 1
    (ТОВ "Друкарня Мадрид", 2021) Зайцев, Роман Валентинович; Дроздов, Антон Миколайович; Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій Семенович
    Мікроелектроніка як сучасний напрямок проектування та виробництва електронної аппаратури різного призначення є каталізатором науково-технічного прогрессу. Автоматизація виробництва, створення сенсорної техніки, розвиток автономних систем неможливі без використання інтегральниї мікросхем, мікропроцессорів та мікросборок. Технологія виготовлення виробів мікроелектроніки забезпечує в першу чергу високий рівень продуктивності праці, комплексну мініатюризацію елекронної апаратури, автоматики, обчислювальної техніки і включає в себе передовий досвід та досягнення багатьох галузей науки і техніки: від фізики взаємодії атомних та ядерних частинок з речовиною до мікрометалургії та приладобування. З кожним роком напівпровідники все більше проникають в різні галузі науки і техніки. З приладів, де використовуються напівпровідники, які вже завоювали собі місце в житті, можна назвати такі: 1. Випрямлячі змінного струму. 2. Діоди, тріоди та складніші кристалічні системи, застосовувані в приладах для радіозв’язку та телебачення. 3. Фото опори, фотодіоди, фото тріоди, вентильні фотоелементи, що використовуються в мікросхемах автоматики і телемеханіки, в пристроях, що керують атомно-енергетичними установками, рухом супутників Землі, космічних ракет і кораблів. 4. Термогенератори, фотоелементи, ядерні або атомні батареї, які безпосередньо перетворюють теплову, світлову і ядерну енергію в електричну. Вони є основою напівпровідникової енергетики. В рамках дисципліни розглядаються загальна характеристика технологічного процесу виготовлення напівпровідникових матеріалів, технологiя напівпровідникових та гібридних iнтегральних мiкросхем, основні технологічні базові процеси.