Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 16

Зміна параметрів монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів під дією неоднорідного магнітного поля
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Самофалов, Володимир Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович
Мінімізація кутової залежності вихідних параметрів вертикальних діодних комірок для багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Панін, А. І.; Хрипунов, Геннадій Семенович
Фотоелектричні властивості модифікованих наночастинками срібла електроосаджених наноструктурованих масивів цинк оксиду
(ПП Щербатих О. В., 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрівна; Корсун, Валерія Євгеніївна; Кудій, Дмитро Анатолійович; Любов, Віктор Миколайович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Применение импульсного осветителя для контроля пространственного распределения времени жизни неосновных носителей заряда в кремниевых фотоэлектрических преобразователях
(Національний університет кораблебудування ім. адмірала Макарова, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Иванов, А. Л.; Хрипунов, Геннадий Семенович
Кестеритные слои, полученные сульфуризацией электроосажденных металлических прекурсоров
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович
Исследованы фазовый состав, кристаллическая структура и морфология поверхности электрохимически осажденных стопок из пленок меди, олова и цинка в качестве металлических прекурсоров. Выполнен подбор оптимальных последовательностей чередования металлических пленок в прекурсорах и атомных соотношений компонентов электроосажденных прекурсоров, обеспечивающих максимальное содержание и приемлемые структурные параметры кристаллической фазы кестерита в слоях, синтезированных в процессе сульфуризации. Представлены результаты синтеза кестеритных слоев путем сульфуризации прекурсоров. Методом количественного рентген-дифрактометрического анализа определено содержание кестерита Cu₂ZnSnS₄ в синтезированных слоях. Исследованы оптические свойства синтезированного образца, содержащего 85 % фазы кестерита. Показаны направления усовершенствования предлагаемой технологии с целью создания базовых кестеритных слоев для перспективных эффективных, дешевых и доступных солнечных элементов нового поколения.
Пленки сульфида олова, полученные сульфуризацией прекурсоров из электроосажденного олова
(Сумський державний університет, 2015) Клочко, Наталья Петровна; Момотенко, Александра Витальевна; Любов, Виктор Николаевич; Волкова, Неонила Дмитриевна; Копач, Владимир Романович; Хрипунов, Геннадий Семенович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович
Работа посвящена разработке экономически выгодной и пригодной для широкомасштабного производства методики получения тонких пленок сульфида олова SnS фотовольтаического назначения. Тонкие пленки SnS с орторомбической структурой герценбергита были синтезированы путем сульфуризации в парах серы слоев олова, электроосажденных из стандартного раствора оловянирования. Синтезированный поликристаллический материал SnS является электронным полупроводником с шириной запрещенной зоны и коэффициентом оптического поглощения оптимальными для использования в солнечных элементах.
Влияние длительного хранения и напряжения прямой полярности на КПД пленочных соленчных элементов на основе CdS/CdTe
(Наука, 2011) Хрипунов, Геннадий Семенович; Копач, Владимир Романович; Мериуц, Андрей Владимирович; Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Дейнеко, Наталья Викторовна
Эффект хранения в течение 48 месяцев и субпоследовательное действие напряжения прямой полярности на КПД тонкопленочных солнечных элементов с исходным n⁺ -ITO/n-CdS/p-CdTe/Cu/Au слоистую структуру изучали методами токовольтажные и емкостные характеристики. На основе этих результатов улучшена физическая модель такого типа солнечных батарей деградация клеток под действием указанных факторов. Условия, обеспечивающие частичное восстановление солнечных элементов эффективность после их деградации под действием прямого вытеснения напряжение n−p гетероперехода меньше напряжения холостого хода солнечных батарей определяются экспериментально.
Високоефективна система відбору потужності для фотоелектричної станції
(Інститут відновлюваної енергетики НАН України, 2016) Зайцев, Роман Валентинович; Сокол, Євген Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Прокопенко, Дмитро Сергійович
Проведено аналіз роботи системи відбору потужності для фотоелектричної станції з використанням підвищувального перетворювача. Показано, що коефіцієнт корисної дії такої системи в широкому діапазоні освітленості фотоелектричного модуля знаходиться нарівні 92%, тоді як ефективність класичних систем відбору потужності не перевищує 70%. Розроблено принципову електричну схему регульованого мостового резонансного підвищуючого перетворювача з цифровим керуванням, що забезпечує надійність роботи, швидке і точне знаходження точки максимальної потужності та ефективність перетворення до 96%.
Аппаратная реализация комплекса автоматизированного измерения вольт-амперных характеристик полупроводниковых приборов
(Чернігівський національний технологічний університет, 2015) Зайцев, Роман Валентинович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Геннадий Семенович; Полежаева, О. В.; Прокопенко, Дмитрий Сергеевич
Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей
(Наука, 2010) Копач, Владимир Романович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Геннадий Семенович; Зайцев, Роман Валентинович
Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.