Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2007 - 200922010 - 20111

Налаштування

Автор: search.filters.author.Зайцев, Роман ВалентиновичКлючові слова: search.filters.subject.parameters

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 3 з 3
  • Ескіз
    Документ
    Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей
    (Астропринт, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.
    Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.
  • Ескіз
    Документ
    Багатоперехідні кремнієві фотоперетворювачі як сенсори у системах оптичної локації
    (Астропринт, 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович; Куца, Н. В.; Крикун, К. Ю.
    Наведені результати експериментального та теоретичного дослідження можливост і використання багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів (ФЕП) як сенсорів у системах оптичної локації. Експериментально встановлено, що досліджуваним багатоперехідним ФЕП притаманний лінійний характер спаду залежності напруги холостого ходу норм та струму короткого замикання норм зі збільшенням величини кута α надходження випромінювання до їх фотоприймальної поверхні. Запропоновані напрямки подальшого удосконалення конструкції багатоперехідних ФЕП, реалізація яких дозволить полегшити реєстрацію сигналу від сенсора вимірювальним приладом та більш гнучко керувати характером спаду залежності норм за рахунок спрямованого регулювання часу життя неосновних носіїв заряду у базових кристалах.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах
    (Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Дейнеко, Наталья Викторовна; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.
    Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.