Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із оксиду цинку і срібла
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Корсун, Валерія Євгеніївна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор Миколаєвич
Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктур із вкритих наночастинками срібла (HЧAg) масивів нанострижнів оксиду цинку (1-DZnO) із конфігурацією шарів "провідна підкладка|(НЧА@1-DZnO)|тильний контакт". При цьому формування наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO здійснюють електроосадженням в імпульсному режимі, а для нанесення наночастинок срібла на поверхню ZnO використовують срібний золь. Контакти виготовляють із плівок алюмінію, які формують за допомогою вакуумного осадження Аl із застосуванням тіньової маски на провідній підкладці і на верхніх торцях вкритих HЧAg наноструктурованих масивів нанострижнів ZnO (тильний контакт) шляхом вакуумного випаровування алюмінію під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють з боку підкладки із прозорого для ближнього ультрафіолетового випромінювання (БУФВ) скла, вкритого прозорою для БУФВ електропровідною плівкою.
Система відбору потужності на основі підвищувальних перетворювачів для фотоелектричної станції
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мінакова, Ксенія Олександрівна
Система відбору потужності фотоелектричної станції складається з елементів, що здійснюють відбір потужності від ФЕМ і елемента для перетворення постійного струму, що генерується ФЕМ у електроенергію промислової частоти. Відбір потужності від ФЕМ здійснюється набором підвищувальних перетворювачів, які збільшують генеровану ФЕМ постійну напругу до значень 600-700В, підвищувальні перетворювачі виконані за резонансною схемою з цифровим керуванням реалізацією алгоритму стеження за точкою максимальної потужності ФЕМ під керуванням мікроконтролера та об'єднані в інформаційну мережу для моніторингу параметрів ФЕМ і самодіагностики, підвищувальні перетворювачі скомутовані паралельно для забезпечення можливості безперебійної роботи системи в разі відмови одного або декількох ФЕМ, а для перетворення генерованої ФЕМ постійної напруги, в електроенергію промислової частоти масив послідовно з'єднаних мікроінверторів замінений на потужний інвертор промислового класу з можливістю зовнішнього керування.
Спосіб підвищення ККД кремнієвого фотоелектричного перетворювача з вертикальними діодними комірками
(ДП "Український інститут промислової власності", 2013) Стребков, Дмитро Семенович; Поляков, Володимир Іванович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Спосіб підвищення ККД багатоперехідного кремнієвого фотоелектричного перетворювача з послідовно з'єднаними вертикальними діодними комірками i сонячного модуля з таких приладів включає їх розміщнення у однорідному стаціонарному магнітному полі з вектором магнітної індукції.
Світлодіодно-галогеновий освітлювач
(ДП "Український інститут промислової власності", 2014) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янов, Євген Олександрович
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu₂ZnSnS₄ в розбірному реакторі
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2015) Момотенко, Олександра Віталіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Хрипунов, Геннадій Семенович
Спосіб отримання однофазних плівкових шарів кестеритів Cu₂ZnSnS₄ в розбірному реакторі шляхом пошарового електроосадження міді, олова та цинку з водних електролітів і наступним вакуумним відпалом в реакторі в парах сірки (сульфурізацією). Електроосаджені металеві шари збагачують цинком і збіднюють міддю. Процес сульфурізації проводять в розбірному реакторі багаторазового використання за умов пересиченої пари сірки.
Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Клочко, Наталя Петрівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Любов, Віктор Миколаєвич
Спосіб виготовлення детектора ультрафіолетового випромінювання на основі наноструктурованих масивів цинк оксиду із конфігурацією шарів "провідна підкладка|наноZnO|тильний контакт". Формування наноструктурованих масивів ZnO здійснюють технологією електроосадження в імпульсному режимі із подальшим відпалом на повітрі при температурі 240-260 °C протягом 3-6 хв. Тильні контакти виконані у вигляді плівки алюмінію, сформованої вакуумним осадженням на верхніх торцях наноструктурованих масивів ZnO шляхом випаровування Al під кутом 65-75° від нормалі до підкладки. Освітлення здійснюють зі сторони підкладки з прозорого для ультрафіолету скла, вкритого прозорою для УФ електропровідною плівкою.