Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7

Профессор Б. Т. Бойко и его научная школа в области создания пленочных фотоэлектрических преобразователей
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2015) Хрипунов, Геннадий Семенович; Копач, Галина Ивановна; Хрипунова, Алина Леонидовна
Влияние наноразмерной прослойки оксида олова на эффективность фотоэлектрических процессов в пленочных солнечных элементах на основе теллурида кадмия
(Сумской государственный университет, 2015) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Кудий, Дмитрий Анатольевич; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Алина Леонидовна; Геворкян, В. А.; Гладышев, П. П.
Было исследовано влияние толщины наноразмерной прослойки на эффективность фотоэлектрических процессов в солнечных элементах (СЭ) ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au, сформированных на различных подложках. Для приборных структур, сформированных на стеклянных подложках, максимальная эффективность 11,4 % достигается при толщине слоя оксида олова 80 нм. Для гибких солнечных элементов, сформированных на полиимидных пленках, максимальная эффективность 10,8 % наблюдается при толщине слоя оксида олова 50 нм. В работе обсуждаются физические механизмы наблюдаемых отличий в КПД.
Разработка физических основ емкостного акустического метода дефектоскопии металлов
(Сумской государственный университет, 2015) Горкунов, Борис Митрофанович; Тюпа, Игорь Васильевич; Зайцева, Лилия Васильевна; Хрипунов, Геннадий Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Алина Леонидовна
Разработана физическая модель процесса возбуждения с помощью конденсатора длинноволновых продольных и поверхностных акустических волн в металлах. Показано, что модель позволяет проводить расчет выходного сигнала и осуществлять выбор методов и средств для приема данных акустических колебаний при проведении дефектоскопии металлов. Установлена возможность возбуждения и приема длинноволновых акустических колебаний емкостными преобразователями. Разработана схемотехническое решение электронного устройства для реализации оригинального емкостного акустического метода дефектоскопии металлов.
Разработка экономичных токопроводящих контактов для газочувствительных пленочных слоев диоксида олова
(Сумской государственный университет, 2014) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Новиков, Виталий Александрович; Зайцев, Роман Валентинович; Зайцева, Лилия Васильевна; Хрипунова, Алина Леонидовна
Для снижения себестоимости перспективных для широкомасштабного применения газовых датчиков на основе пленок диоксида олова за счет использования в качестве токопроводящих покрытий пленок алюминия, были проведены исследования влияния режимов работы на морфологию поверхности и кристаллическую структуру пленочных гетеросистем Al/SnO₂. Выявлено, что длительная работа гетеросистем при температурах 400 °С приводит к появлению на поверхности алюминиевой пленки, а затем и на поверхности пленочного слоя диоксида олова частиц олова с размерами до 2 мкм, которые способны нарушить свойства газочувствительные слоя. В работе рассмотрены физические механизмы выявленной межфазного взаимодействия. Предложенная конструкция газового датчика, в которой предусмотрено разграничение температур чувствительного слоя и токоведущих контактов, что позволяет использовать пленки алюминия в указанной приборной структуре.
Пленочные солнечные элементы ITO/SnO₂/CdS/CdTe/Cu/Au
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Ковтун, Назар Анатольевич; Хрипунова, Алина Леонидовна; Кудий, Дмитрий Анатольевич
C целью оптимизации конструктивно-технологических решений фронтальных электродов были проведены сопоставительные исследования выходных параметров и световых диодных характеристик пленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au и SnO₂:F/CdS/CdTe/Cu/Au. Установлено, что большее напряжение и больший фактор заполнения солнечных элементов при использовании в конструкции пленок SnO₂:F обусловлены меньшими значениями плотности диодного тока насыщения и последовательного сопротивления, что обусловлено устойчивостью кристаллической структуры и электрических свойств этих пленок к "хлоридной" обработке базового слоя при изготовлении приборной структуры. В тоже время солнечные элементы с фронтальным электродом ITO имеют большую плотность тока короткого замыкания, что обусловлено большим средним коэффициентом пропускания слоев ITO. Использование в конструкции фронтальных контактов ITO наноразмерных слоев SnO₂ позволяет увеличить эффективность солнечных элементов на основе CdS/CdTe до 11,4 % за счет стабилизации кристаллической структуры и электрических свойств пленок ITO, а также возможности снижения толщины слоя сульфида кадмия без шунтирования приборной структуры.
Влияние технологических параметров на воспроизводимость электрических свойств пленок SnO₂, полученных методом магнетронного распыления
(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2014) Хрипунов, Геннадий Семенович; Пирогов, Александр Викторович; Новиков, Виталий Александрович; Хрипунова, Алина Леонидовна
Для создания промышленных технологий изготовления газовых датчиков и фронтальных электродов пленочных солнечных элементов исследовано влияние мощности магнетронного распыления и концентрации кислорода в рабочем газе на воспроизводимость электрической проводимости пленок диоксида олова. Экспериментально показано, что для повышения воспроизводимости электрических свойств необходимо снизить электрическую мощность до 10 Вт и повысить концентрацию кислорода до 50%.
Разработка базовых слоёв диоксида олова для газовых датчиков абсорбционно-полупроводникового типа
(НТУ "ХПИ", 2013) Хрипунов, Геннадий Семенович; Клочко, Наталья Петровна; Новиков, Виталий Александрович; Удянский, Н. Н.; Хрипунова, Алина Леонидовна; Ковтун, Назар Анатольевич
Проведны исследования газочуствительности пленок диоксида олова, полученных методом химического осаждения из паровой фазы, для создания базовых слоев газових датчиков абсорбционно-полупроводникового типа путем измерений температурных зависимостей поверхностной электропроводности. Экспериментально установлена зависимость газочувствительности пленок диоксида олова от его температуры при одновременно присутствующих в различных концентрациях газов монооксида азота и кислорода в смеси с азотом, а также при различных концентрациях монооксида азота и диоксида азота в воздухе. Идентифицирована зависимость от температуры газочувствительности пленок диоксида олова к примеси паров этилового спирта в воздухе(С C2H5OH = 10000 ppm) и к примеси паров аммиака в воздухе (С NH3 = 6600 ppm). Исследована газочувствительность пленок SnO2 при различных концентрациях примеси паров C2H5OH и NH3 в воздухе при температуре 450 ̊ C. Установлена температурная зависимость времени восстановления электрических свойств пленок после взаимодействия с парами этилового спирта(С C2H5OH = 10000 ppm) и аммиака (С NH3 = 6600 ppm) в воздухе.