Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 7 з 7

Спосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді
(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Петрушенко, Сергій Іванович; Дукаров, Сергій Валентинович; Клочко, Наталя Петрівна; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Хрипунова, Аліна Леонідівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Любов, Віктор Миколайович
Спосіб виготовлення омічних плівкових контактів до йодиду міді шляхом вакуумного випаровування. Корисна модель належить до напівпровідникової електроніки та може бути використана для виготовлення омічних контактів до напівпровідника p-типу йодиду міді, який є функціональним матеріалом сучасних електронних, оптоелектронних та термоелектричних приладів.
Історичні передумови та аналіз розвитку фотоелектрики у 50-х роках ХХ століття
(Сумський державний педагогічний університет ім. А. С. Макаренка, 2015) Хрипунов, Геннадій Семенович; Хрипунова, Аліна Леонідівна
У статті проведена історична реконструкція подій, які призвели до інтенсивного розвитку фотоелектрики у 50-х роках ХХ століття. Показано, що об'єктивними передумовами стали досягнення в розробці кремнієвих транзисторів, потреби промисловості в створенні автономних джерел енергії та широка міждисциплінарна кооперація при проведенні наукових досліджень. До суб'єктивних передумов слід віднести наполегливість, працездатність, наукову сміливість та безкорисну взаємодопомогу видатних дослідників Кевіна Фуллера, Джерельда Пірсона та Дарела Чапіна, які розробили фізичні основи конструктивно-технологічних рішень ефективних фотоелектричних перетворювачів на основі кремнію та успішно провели їх практичне апробування.
Дослідження структури ємнісних перетворювачів на основі тонкоплівкової структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃
(Одеський національний університет ім. І. І. Мeчникова, 2015) Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Горкунов, Борис Митрофанович; Хрипунова, Аліна Леонідівна
У статті розглянута ключова проблема безрідинного акустичного контролю металевих виробів та запропоноване новітнє рішення для дефектоскопії в умовах промислового виробництва. Основною особливістю рішення є використання тонкоплівкових гнучких шарів у ємнісних перетворювачах на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃ загальною товщиною не більше 20 мкм. На підставі проведеного дослідження структурних та електричних властивостей шарів такої структури визначені оптимальні умови їх отримання для максимально ефективного використання у якості ємнісних перетворювачів. Створено дослідний зразок тонкоплівкового ємнісного перетворювача для акустичного контролю металевих виробів на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃.
Плівкові гнучкі ємнісні перетворювачі на основі структури ITO/поліімід/Al₂O₃
(Харківський національний університет ім. В. Н. Каразіна, 2014) Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Аліна Леонідівна
У статті розглянута ключова проблема безрідинного акустичного контролю металевих виробів та запропоноване новітнє рішення для дефектоскопії в умовах промислового виробництва. Основною особливістю рішення є використання тонкоплівкових гнучких ємнісних перетворювачів на основі структури ITO/поліімід/Al₂O₃ загальною товщиною не більше 20 мкм. На підставі проведеного дослідження структурних та електричних властивостей шарів такої структури визначені оптимальні умови їх отримання для максимально ефективного використання у якості ємнісних перетворювачів. Створено дослідний зразок тонкоплівкового ємнісного перетворювача для акустичного контролю металевих виробів на основі структури Al/ITO/поліімід/Al₂O₃. .
Методичні вказівки до виконання курсових робіт з курсу "Хімічні технології мікроелектроніки" (для бакалаврів)
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Хрипунова, Аліна Леонідівна; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Жадан, Дмитро Олегович
Предметом навчальної дисципліни "Хімічні технології мікроелектроніки" є фізико-хімічні явища та процеси, на яких засновано виробництво напівпровідникових та діелектричних матеріалів, а також сучасні хімічні та фізико-хімічні технології металізації виробів мікро- та наноелектроніки і методи синтезу нанокристалів, які у сукупності складають основну матеріальну базу мікро- та наноелектроніки. Метою викладання дисципліни є оволодіння студентами теоретичнх знань та набуття практичних вмінь і навичок для реалізації хімічних технологій виробництва матеріалів і виробів мікро- та наноелектроніки. Зокрема, передбачається оволодіння теоретичними знаннями і практичними навичками з електрохімічних методів синтезу металічних нанокристалів, створення діелектричних оксидних покриттів, тонкоплівкових конденсаторів та інших інтегрованих тонкоплівкових приладів на основі анодних плівок, а також виготовлення тонких електропровідних металічних шарів, омічних та випрямляючих контактів для мікро- і наноелектронних застосувань включно, для інтегральних схем, приладів надвисокочастотної техніки, фотоелектричних перетворювачів та низки інших оптоелектронних приладів.
Використання ігрових технологій у навчанні іноземних студентів
(Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", 2018) Хрипунова, Аліна Леонідівна; Кудій, Дмитро Анатолійович; Чжэн, Ванзе
Фізичне матеріалознавство для мікро- та наноелектроніки: дослідження структури тонких плівок методами скануючої зондової мікроскопії та спектроскопії
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2014) Хрипунов, Геннадій Семенович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунова, Аліна Леонідівна; Кіріченко, Михайло Валерійович; Момотенко, Олександра Віталіївна