Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2014 - 20174

Налаштування

Автор: search.filters.author.Kharchenko, M. M.

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Design of silicon solar cells with horizontal aligned p-n junctions for high voltage operation
    (National Technical University of Ukraine "Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute", 2014) Semenenko, M. O.; Klyui, N. I.; Ganus, V. O.; Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Kharchenko, M. M.
  • Ескіз
    Документ
    The Сadmium Telluride Thin Films for Flexible Solar Cell Received by Magnetron Dispersion Method
    (Sumy State University, 2017) Zaitsev, R. V.; Khrypunov, G. S.; Veselova, N. V.; Kirichenko, M. V.; Kharchenko, M. M.; Zaitseva, L. V.
    For the purpose of creation of thin-film photoelectric converters on the basis of sulfide and telluride of cadmium the pilot studies of process of magnetron dispersion on a direct current of telluride of cadmium and influence of the modes of magnetron dispersion on crystalline structure of films of CdTe are conducted. CdTe films for basic layers of sheet photoelectric converters on flexible polyimide substrate by the method of magnetron dispersion on a direct current are received for the first time. It is experimentally shown that "chloride" processing of the received layers of telluride of cadmium leads to transformation of metastable hexagonal modification of telluride of cadmium in stable cubic. At the same time at the expense of the eutectic recrystallization body height of the sizes of areas of a coherent dispelling much and decrease by 1,5 times of level of microstrains is observed.
  • Ескіз
    Документ
    Effect of Plasma, RF, and RIE Treatments on Properties of Double-Sided High Voltage Solar Cells with Vertically Aligned p-n Junctions
    (2016) Semenenko, M. O.; Dusheiko, M. G.; Mamykin, S. V.; Ganus, V. O.; Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Kharchenko, M. M.; Klyui, N. I.
    Si-based solar cells with vertically aligned p-n junctions operating at high voltage were designed and fabricated. The plasma treatments and antireflection coating deposition on the working surfaces of both single- and multijunction cells were made using the special holders. It was shown that additional treatment of solar cells in argon plasma prior to hydrogen plasma treatment and deposition of diamond-like carbon antireflection films led to the improvement of the cell efficiency by up to 60%. Radio frequency waves support plasma generation and improve photoelectric conversionmainly due to reduction of internal stresses at the interfaces. Application of reactive ion etching technique removes the broken layer, reduces elastic strain in the wafer, decreases recombination of charge carriers in the bulk, and provides cell efficiency increase by up to ten times.
  • Ескіз
    Документ
    Adopting of DC Magnetron Sputtering Method For Preparing Semiconductor Films
    (Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2017) Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Dobrozhan, A. I.; Khrypunov, G. S.; Kharchenko, M. M.
    It has been carried out the experimental studies of the process of cadmium telluride magnetron sputtering with direct current, and the impact of a magnetron sputtering mode on CdTe films crystalline structure. In order to create thin-film solar cells based on cadmium sulfide and telluride CdTe films for the base layers of thin film solar cells was obtained on flexible polyimide substrates by magnetron sputtering with direct current for the first time. It has found that increasing the magnetron discharge current up to 80 mA leads to increase in coherent scattering regions what is due to an increase in the thickness of the cadmium telluride films of the hexagonal modification having a columnar structure.