Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 12

Створення тонкоплівкової композиції для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
Створено тонкоплівкову композицію для нової конструкції сонячного елементу з кестеритним базовим шаром шляхом застосування двох недорогих і придатних для широкомасштабного виробництва рідиннофазних методів, а саме електроосадження і методу послідовної абсорбції і реакції іонних шарів. Вивчено структуру і оптичні властивості окремих шарів, досліджено електричні властивості гетероструктури Mo/р-Cu₂ZnSnS₄/n-ZnS/Al.
Використання електрохімічного і гідрохімічного методів для виготовлення напівпрозорого сонячного елемента на основі гетеропереходу р-NiO/n-ZnO
(Рік-У, 2018) Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Кристалічна структура, оптичні, електричні та термоелектричні властивості плівок ZnO і ZnO:In, виготовлених методом SILAR
(Рік-У, 2018) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Копач, Володимир Романович; Жадан, Дмитро Олегович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Петрушенко, Сергій Іванович; Любов, Віктор Миколайович; Дукаров, Сергій Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Effect of Glow-discharge Hydrogen Plasma Treatment on Zinc Oxide Layers Prepared through Pulsed Electrochemical Deposition and via SILAR Method
(Sumy State University, 2019) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Nikitin, A. V.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.
In this work, we investigated the effect of glow-discharge H₂⁺ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glow-discharge H₂⁺ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Neverthe-less, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H₂⁺ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·10¹⁸ cm⁻².
Фотоелектричні властивості модифікованих наночастинками срібла електроосаджених наноструктурованих масивів цинк оксиду
(ПП Щербатих О. В., 2016) Клєпікова, Катерина Сергіївна; Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Копач, Володимир Романович; Волкова, Неоніла Дмитрівна; Корсун, Валерія Євгеніївна; Кудій, Дмитро Анатолійович; Любов, Віктор Миколайович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович
Моделювання впливу точкових дефектів на ефективний час життя неосновних носіїв заряду в базових кристалах кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Дорошенко, Ганна Миколаївна; Копач, Володимир Романович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович
Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2011) Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Doroshenko, A. N.; Khrypunov, G. S.
Using the computer simulation method it was studied the dependences of nonequili-brium electrons lifetime from concentration of elementary bulk point defects and various complexes of the bulk point defects, which may be present in the diode structures based on p-type conductivity boron doped silicon crystals with 10 Ohm-cm resistivity, grown by the Czochralski method. A number of obtained results well correlated with the experimental data related to the effects of photon degradation in solar cells which based on considered type silicon crystals (Si-SC) and influence of a stationary magnetic field on such devices efficiency. Overall, our results provide additional possibility for the evolution features prediction of electronic, and consequently, functional parameters, not only for Si-SC, but also for other devices based on such diode structures. It will allow looking for the most efficient and cost effective ways to optimize their design-technological solutions, and also estimates their reliability and durability level.
Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.
It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.
New approach to the efficiency increase problem for multi-junction silicon photovoltaic converters with vertical diode cells
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A.
It is shown, that for efficiency increase of multi-junction photovoltaic solar energy converters with vertical diode cells (VDC) on the basis of single-crystal silicon the modernization of VDC by the introduction along their vertical Si-boundaries single-layer indiumtin oxide reflectors by thickness more than 1 μm is necessary.
Back surface reflector optimization for thin single crystalline silicon solar cells
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2007) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.; Tymchuk, I. T.; Antonova, V. A.; Listratenko, A. M.
It has been shown that for single crystalline silicon solar cells (Si-SC) with 180-200 μm thick base crystals, the optimum back surface reflector (BSR) is TiO₂/Al with 0.18 μm thick oxide layer. At such BSR, the reflection coefficient for photoelectric active sunlight reaching the back surface of Si-SC at 0.88-1.11 μm wavelengths attains 81 to 92 % against of 71 to 87 % at direct Al contact with back surface of silicon base crystal.