Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 13

Зміна параметрів монокристалічних кремнієвих фотоперетворювачів під дією неоднорідного магнітного поля
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Самофалов, Володимир Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій Семенович
Мінімізація кутової залежності вихідних параметрів вертикальних діодних комірок для багатоперехідних кремнієвих фотоелектричних перетворювачів
(Кременчуцький національний університет ім. Михайла Остроградського, 2011) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Володимир Романович; Панін, А. І.; Хрипунов, Геннадій Семенович
Залежність ефективності роботи кремнієвих фотоелектричнихперетворювачів від впливу стаціонарного магнітного поля
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2012) Лук'янова, Г. О.; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович
Сенсори для систем оптичної локації на основі багатоперехідних кремнієвих фотоперетворювачів
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Куца, Н. В.; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович; Зайцев, Роман Валентинович
Залежність ефективності роботи багато-перехідних кремнієвих фотоперетворювачів від умов попередньої обробки у магнітному полі
(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Кіндяков, С. В.; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Копач, Володимир Романович
Double-layer ITO/Al back surface reflector for single-junction silicon photoconverters
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2008) Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Shramko, S. V.; Zaitsev, R. V.
It has been shown that to increase the efficiency and manufacturability of single-crystal silicon photovoltaic solar energy converters (Si-PVC) with 180-200 μm thick base crystals having a polished photoreceiving surface and double-layer back surface reflector (BSR) consisting of a transparent oxide and aluminum layers, a conductive transparent indium-tin oxide (ITO) layer of 0.25 μm interference thickness is to be used as the nonmetallic BSR layer. It provides the ITO/Al BSR reflection coefficient in the range of 85 < R < 96 % for solar radiation photoactive component incident the Si-PVC back surface at substantially zero contribution of ITO layer resistance to the device series resistance. In the case of Si-PVC with inverted pyramid type texture of crystal photoreceiving surface at which the specificity of light distribution in the crystal causes total reflection of radiation from Si/ITO interface, the ITO layer thickness should be experimentally optimized in the 1-2 μm range independently of base crystal thickness to minimize the photoactive radiation losses and ITO layer resistance.
Single-crystal silicon solar cell efficiency increase in magnetic field
(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2010) Zaitsev, R. V.; Kopach, V. R.; Kirichenko, M. V.; Lukyanov, E. O.; Khrypunov, G. S.; Samofalov, V. N.
It is established in experiment that efficiency of unijunction (UJ) single-crystal silicon solar cells (Si-SC) with horizontal n⁺-p-p⁺ diode structure may increase by a factor of approximately 1.1 after their holding at room temperature during 7 days in perpendicularly oriented stationary magnetic field with 0.2 T induction. The subsequent stabilizing of the obtained positive effect is shown to be realizable by attachment of a thin magnetic vinyl layer (creating in the UJ Si-SC base crystal a magnetic field with induction not exceeding 0.05 T) to the UJ Si-SC at the back electrode side.
Sensitivity of silicon photovoltaic converters to the light incidence angle on their receiving surface
(Астропринт, 2009) Kirichenko, M. V.; Kopach, V. R.; Zaitsev, R. V.; Bondarenko, S. A.
The results of output parameters dependences researches for multijunction silicon photovoltaic converters (PVC) upon solar radiation incidence angle on their receiving surface are presented. It has been shown that for improving of PVC efficiency is necessary to achieve the increased values of minority charge carriers lifetime in their base crystals as well as the optical reflection coefficient for metal/Si boundaries (interfaces) inside multijunction PVC, while for using multijunction PVC in the optical location systems the forced reduction of these values is reasonable.
Increasing of the effectiveness of the industrial silicon photo-electric transformers for the hybrid photo-power module
(Луцький національний технічний університет, 2017) Zaytsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Zaytseva, L. V.; Veselova, N. V.
Possibilities of increase in effectiveness over 20% for Chinese made silicon photo-electric transformers have been investigated. By the method of computer designing operation it is established that the lifetimes of nonequilibrium charge carriers realized in such photo-electric transformers which make 520 mcs do not limit a possibility of increasing their efficiency over 20%. It is shown that increase in density of a photo current up to 43.1 mA/cm² leads up to 20.1% to body height of efficiency, and decrease in density of the diode saturation current to 3.1∙10⁻¹‌⁴ A/cm² - causes body height of efficiency to 20.4%. Simultaneous change of these of a diode characteristic leads to increase of efficiency up to 23.1%. In work physicotechnological approaches for increase in density of a photo current and decrease of density of the diode saturation current in ready photo-electric transformers are offered.
Високоефективна система відбору потужності для фотоелектричної станції
(Інститут відновлюваної енергетики НАН України, 2016) Зайцев, Роман Валентинович; Сокол, Євген Іванович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Прокопенко, Дмитро Сергійович
Проведено аналіз роботи системи відбору потужності для фотоелектричної станції з використанням підвищувального перетворювача. Показано, що коефіцієнт корисної дії такої системи в широкому діапазоні освітленості фотоелектричного модуля знаходиться нарівні 92%, тоді як ефективність класичних систем відбору потужності не перевищує 70%. Розроблено принципову електричну схему регульованого мостового резонансного підвищуючого перетворювача з цифровим керуванням, що забезпечує надійність роботи, швидке і точне знаходження точки максимальної потужності та ефективність перетворення до 96%.