Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne

Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"

Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.

За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.

Переглянути

Фільтри

2016 - 20194

Налаштування

Ключові слова: search.filters.subject.pulse electrodeposition

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 4 з 4
  • Ескіз
    Документ
    Формування сонячного елемента з наноструктурованим шаром ZnО, сенсибілізованим квантовими точками SnS
    (Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2016) Клочко, Наталя Петрівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Клєпікова, Катерина Сергіївна; Копач, Володимир Романович; Лук'янова, Олександра Віталіївна; Волкова, Неоніла Дмитрієвна; Корсун, Валерія Евгеніївна; Любов, Віктор Миколаєвич; Кіріченко, Михайло Валерійович
    З метою створення нової конструкції сонячного елемента (СЕ) з наноструктурованим одновимірним (1-D) шаром ZnO, сенсибілізованим квантовими точками (КТ) SnS, застосоване імпульсне електроосадження масивів 1-D ZnO, а також нанесення квантових точок SnS і тонкої плівки широкозонного напівпровідника р-типу CuSCN методом рідиннофазного молекулярного нашарування (Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction, SILAR). В роботі досліджені морфологія, структура і оптичні властивості всіх напівпровідникових шарів. Продемонстровано діодну характеристику розробленої нами нової конструкції СЕ на КТ, яка підтверджує її функціональність.
  • Ескіз
    Документ
    Effect of Glow-discharge Hydrogen Plasma Treatment on Zinc Oxide Layers Prepared through Pulsed Electrochemical Deposition and via SILAR Method
    (Sumy State University, 2019) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Nikitin, A. V.; Kopach, V. R.; Khrypunova, I. V.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Khrypunova, A. L.
    In this work, we investigated the effect of glow-discharge H₂⁺ plasma treatment on ZnO layers deposited on fluorine doped tin oxide (FTO) glass substrates through low temperature aqueous solution growth, namely, via a pulsed electrochemical deposition and by successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) technique. It is shown that the crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties obtain some destructive changes after plasma processing due to the creation of oxygen vacancies Vo and H-related defects, and additionally, because of the zinc oxide etching by the glow-discharge H₂⁺ plasma through reduction of zinc oxide and evaporation of Zn from the surface. Neverthe-less, our investigations show quite good stability of the ZnO layers to the plasma-induced radiation and chemical impacts under high total H₂⁺ fluence received by every ZnO/FTO sample ~ 8·10¹⁸ cm⁻².
  • Ескіз
    Документ
    Influence of UV light of extraterrestrial solar irradiance on structure and properties of ZnO films prepared through pulsed electrochemical deposition and via SILAR method
    (Сумський державний університет, 2018) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Khrypunov, G. S.; Zhadan, D. O.; Dukarov, S. V.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Surovitskiy, S. V.; Khrypunova, A. L.
    The investigations of effect of long-wave (UVA) and short-wave (UVC) ultraviolet light of extraterres-trial solar irradiance on the nanostructured zinc oxide arrays, which were grown by pulsed electrodeposition, as well as on the ZnO and ZnO:In films produced by Successive Ionic Layer Adsorption and Reaction technique (SILAR) confirmed their suitability as UVA-active photosensitive materials. The crystal structure, surface morphology, chemical composition and optical properties found no obvious significant destructive changes after UVC irradiation. However, we detected some irreversible changes in the nature of point defects under the influence of UVC, which affect the ZnO and ZnO:In resistivity, activation energy, photosensitivity and thermoelectrical properties.
  • Ескіз
    Документ
    Nanostructured ZnO arrays fabricated via pulsed electrodeposition and coated with Ag nanoparticles for ultraviolet photosensors
    (Сумський державний університет, 2018) Klochko, N. P.; Klepikova, K. S.; Petrushenko, S. I.; Kopach, V. R.; Khrypunov, G. S.; Korsun, V. E.; Lyubov, V. M.; Kirichenko, M. V.; Dukarov, S. V.; Khrypunova, A. L.
    Nanostructured one-dimensional (1-D) ZnO arrays fabricated via pulsed electrodeposition and coated with Ag nanoparticles are researched with the aim of their using in the ultraviolet (UV) photosensors. The results of the crystal structure investigations showed that the pulsed electrodeposited zinc oxide arrays are polycrystalline in nature and matching with hexagonal wurtzite modification of ZnO. To enhance its UV photosensitivity, the silver nanoparticles (AgNPs) with different shape and an average size of 60 nm, as well as 300-500 nm long Ag nanorods with ~30 nm diameter, are precipitated mainly on the (002), (101) and (100) ZnO planes. Study of electrical properties and electronic parameters of the 1-D ZnO and Ag/ZnO nanocomposites using a current-voltage and capacity-voltage characteristics identified the important role of the high double Schottky barriers at the ZnO intergrain boundaries for the creation of great UV photo-sensitivity. It is proved that through monitoring the amount of AgNPs on the ZnO surface the electrical properties and electronic parameters of the Ag/ZnO nanocomposites, and consequently, the output parameters of the UV photosensors can be controlled.