Публікації співробітників (НДПКІ "Молнія" НТУ "ХПІ")
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4788
Переглянути
12 результатів
Результати пошуку
Документ Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов(НТУ "ХПИ", 2007) Кравченко, Владимир Иванович; Дныщенко, Владимир Николаевич; Гирка, Юлия Николаевна; Лосев, Федор Владимирович; Яковенко, Игорь ВладимировичЕкспериментально доведено, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на напівпровідникові прилади (кремнієві діоди) супроводжується відхиленням їх вольт-амперних характеристик (появою зворотних відказів). Показано, що такого роду зміни робочих характеристик приладів пов'язано з генерацією власних електромагнітних коливань напівпровідникових комплектуючих приладів при їх взаємодії з токами, наведеними зовнішнім випромінюванням.Документ Влияние на спектр поверхностных колебаний полупроводниковых структур электрорадиоизделий стороннего электромагнитного излучения(НТУ "ХПИ", 2010) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, В. И.; Яковенко, Игорь ВладимировичПоказано, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання ( ЕМВ) на електровироби часто супроводжується виникненням струмів у провідних елементах ЕРВ і утворенням їх внутрішніх полів. Визначено механізми взаємодії заряджених частинок з власними полями комплектуючих електрорадіовиробів, що приводять до загасання поверхневих полярітонів у напівпровідникових структурах.Документ Воздействие стороннего электромагнитного излучения на механизмы взаимодействия поверхностных колебаний с электронами проводимости полупроводниковых структур(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичРазработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.Документ Волноводные характеристики полупроводниковой сверхрешетки в условиях влияния электромагнитного излучения(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления по- верхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Иссле- довано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при наличии потока заряженных частиц(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичРазработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработа- на теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классиче- ском приближениях.Документ Влияние стороннего электромагнитного излучения на спектр поверхностных колебаний полупроводниковых структур(НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь ВладимировичОпределены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электрона. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.Документ Взаимодействие потоков заряженных частиц, наведенных ЭМИ, с электромагнитными колебаниями полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий(НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор ВладимировичПредложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл-диэлектрик-полупроводник. Определены потери энергии потоков заряженных частиц, обусловленные взаимодействием такого рода, на возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.Документ Возбуждение электромагнитных колебаний в полупроводниковых структурах потоками заряженных частиц(НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Глухов, Евгений ВладимировичПредложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий, содержащих полупроводниковые сверхрешетки. Определены выражения для инкрементов неустойчивостей электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма-поток заряженных частиц при возбуждении колебаний в субмиллиметровом диапазоне.Документ Потери энергии потока заряженных частиц на возбуждение электромагнитных колебаний в полупроводниковых структурах(НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Глухов, Евгений ВладимировичОпределена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток заряженных частиц при возбуждении колебаний в субмиллиметровом диапазоне. Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий, содержащих полупроводниковые сверхрешетки.Документ Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах(НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор ВладимировичПредложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.