Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
10 результатів
Фільтри
Налаштування
Результати пошуку
Документ The effect of UV and glow-dischare hydrogen plasma irradiation on the crystalline structure and efficiency of CdTe/CdS thin film solar cells prepared by the quasi-closed volume method(Scientific and Technological Corporation "Institute for Single Crystals", 2021) Harchenko, M. M.; Meriuts, A. V.; Nikitin, A. V.; Surovitskiy, S. V.; Dobrozhan, A. I.; Buts, Y. V.It is shown that the crystal structure and photoelectric properties of CdTe/CdS-based solar cells (SCs), fabricated by condensation in a quasi-closed volume, change their characteristics the action of irradiation with a high-dose hydrogen plasma flux.Документ DC magnetron sputtering method for obtaining nanoscale semiconductor films(Інститут сцинтиляційних матеріалів Національної академії наук України, 2021) Sokol, Yevgen I.; Dobrozhan, Andrii; Meriuts, Andrey; Khrypunova, AlinaIt has been carried out the experimental studies of the process of semiconductor direct current magnetron sputtering, and the impact of a magnetron sputtering mode on optical properties of solar cell functional layers. In order to create thin-film solar cells based on CdTe, thin films for the base layers of thin film solar cells was obtained on flexible polyimide and glass substrates by direct current magnetron sputtering. It has found that obtained by DC magnetron sputtering method ZnO and CdS nanoscale thin films and CdTe layers have optimal optical properties for obtaining thin film solar cells based on CdS/CdTe heterosystem.Документ Development of Kesterite Based Heterojunction for Photovoltaics Application(Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016) Lukianova, O. V.; Klochko, N. P.; Kopach, V. R.; Lyubov, V. M.Документ Nanostructured Semiconductor Heterostructures for Ultraviolet Sensors, Solar Cells and Semitransparent Diodes Manufactured by Chemical and Electrochemical Methods(Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника, 2017) Klochko, N. P.; Khrypunov, G. S.; Kopach, V. R.; Klepikova, K. S.; Lukianova, O. V.; Korsun, V. E.; Lyubov, V. M.; Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.Документ Conception of Flexible Thin-Film Solar Battery for Autonomous Hybrid Thermophotoenergy Unit(Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2016) Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Lobotenko, D. S.; Zaitseva, L. V.Документ Влияние геометрических параметров и типа проводимости базовых кремниевых кристаллов на эффективность работы фотопреобразователей(Астропринт, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.Представлены результаты исследований исходных и диодных параметров фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), изготовленных на основе базовых кристаллов кремния р- и n-типа проводимости толщиной от 190 до 375 мкм. Путем сопоставления исходных и диодных параметров ФЭП с базовыми кристаллами разной толщины и типа проводимости обоснована целесообразность создания высокоэффективных отечественных ФЭП наземного назначения на основе кристаллов кремния n типа проводимости с толщиной не более 200 мкм.Документ Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей(Наука, 2010) Копач, Владимир Романович; Кириченко, Михаил Валерьевич; Хрипунов, Геннадий Семенович; Зайцев, Роман ВалентиновичПоказано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия–олова (ITO) толщиной 0.25−2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины.Документ Влияние конструктивно-технологического решения кремниевых фотопреобразователей на параметры неосновных носителей заряда в их базовых кристаллах(Институт радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова Национальной академии наук Украины, 2007) Кириченко, Михаил Валерьевич; Зайцев, Роман Валентинович; Дейнеко, Наталья Викторовна; Копач, Владимир Романович; Антонова, В. А.; Листратенко, А. М.Приведены результаты исследований времени жизни и диффузионной длины L неосновных носителей заряда в базовых кристаллах кремниевых фотоэлектрических преобразователей (Si-ФЭП), изготовленных согласно различным вариантам конструктивно-технологического решения. На основании проведенного сравнительного анализа полученных значений и L обоснован выбор оптимального варианта конструктивно-технологического решения отечественных монокристаллических Si-ФЭП.Документ Effect of Plasma, RF, and RIE Treatments on Properties of Double-Sided High Voltage Solar Cells with Vertically Aligned p-n Junctions(2016) Semenenko, M. O.; Dusheiko, M. G.; Mamykin, S. V.; Ganus, V. O.; Kirichenko, M. V.; Zaitsev, R. V.; Kharchenko, M. M.; Klyui, N. I.Si-based solar cells with vertically aligned p-n junctions operating at high voltage were designed and fabricated. The plasma treatments and antireflection coating deposition on the working surfaces of both single- and multijunction cells were made using the special holders. It was shown that additional treatment of solar cells in argon plasma prior to hydrogen plasma treatment and deposition of diamond-like carbon antireflection films led to the improvement of the cell efficiency by up to 60%. Radio frequency waves support plasma generation and improve photoelectric conversionmainly due to reduction of internal stresses at the interfaces. Application of reactive ion etching technique removes the broken layer, reduces elastic strain in the wafer, decreases recombination of charge carriers in the bulk, and provides cell efficiency increase by up to ten times.Документ Operating temperature effect on the thin film solar cell efficiency(Сумський державний університет, 2019) Zaitsev, R. V.; Kirichenko, M. V.; Khrypunov, G. S.; Radoguz, S. A.; Khrypunov, M. G.; Prokopenko, D. S.; Zaitseva, L. V.The made research results of the dependence of the film photovoltaic converter efficiency on their operating temperature and their comparison are considered in the paper. The physical mechanisms of temperature influence analysis on output, diode and electronic parameters of photovoltaic converters were conducted. The output parameters determination of the flexible photovoltaic converters was carried out by measurement of light current-voltage characteristics by using illuminator based on powerful semiconductor LEDs with different colors for simulated radiation which is close to the standard ground and ultraviolet solar spectrum. For ensuring effective non-destructive switching of the test specimens of the flexible PVC based on cadmium telluride to the measurement circle, the special contact device was developed and used. The main feature of contact device is four separate vertically moving metal probes in form of semi spheres with polished surfaces, which makes it impossible to puncture the PVC electrodes. These probes have possibility of individual positioning of each probe that is carried out with the help of a hard rotary console of variable length attached to the body and can be pressed with a given effort without impact on the frontal and any rear electrodes of the PVC experiments. The efficiency temperature coefficients of the photovoltaic converter, which make up for devices with a CdTe of 0.14 %/C, CuInSe2 – 0.36 %/C, amorphous silicon - 0.21 %/C were obtained. The analytical processing and analysis of the light diode characteristic effect on the PVC efficiency based on the CdTe showed that the temperature stability of their efficiency is ensured by the diode current density, the incision of which increases by 50 % from 1.9·10 – 9 A to 2.7·10 – 9 A with the temperature rise from 20 °С to 50 °С. At the same time, it has been established for PVC on the CuInSe and amorphous silicon base that the decrease of short circuit current density, open circuit voltage and fill factor of current-voltage characteristics plays the main role in efficiency reduction with rising temperature.