2010

Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/6965

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
  • Ескіз
    Документ
    Кінетичний аналіз накопичення дефектів в радіаційній технології модифікації структури кристалів опроміненням
    (НТУ "ХПІ", 2010) Огурцов, Олександр Миколайович; Близнюк, Ольга Миколаївна; Масалітіна, Наталія Юріївна
    Запропонована кінетична модель процесу формування точкового дефекту внаслідок релаксації електронних збуджень в конденсованих системах. Проведений аналіз дозових кривих інтенсивності смуг люмінесценції в кристалах інертних елементів. Одержані значення характеристичних кінетичних констант добре узгоджуються з відомою ієрархією процесів релаксації електронних збуджень.