Публікація:
Enhancement In Charge Carrier Mobility Under Transition To Heavy Doping

Вантажиться...
Ескіз

Дата

ORCID

Науковий ступінь

Рівень дисертації

Шифр та назва спеціальності

Рада захисту

Установа захисту

Науковий керівник/консультант

Члени комітету

Назва видання

ISSN

Назва тому

Видання

Дослідницькі проєкти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

New experimental data confirming our suggestion about the universal character of critical phenomena accompanying the transition from "an impurity gas" to "an impurity condensate" with impurity concentration increasing are presented. The existence of the range of anomalous growth in the charge carrier mobility under transition to heavy doping is established for PbTe–PbSe solid solutions. The experimental results are analyzed on the basis of percolation theory taking into account alloy scattering and spatial correlations of impurity centers.

Опис

Ключові слова

heavily doped semiconductors, impurity concentration, carrier mobility, critical phenomena, percolation theory

Бібліографічний опис

Rogacheva E. I. Enhancement In Charge Carrier Mobility Under Transition To Heavy Doping [Electronic resource] / E. I. Rogacheva, O. N. Nashchekina, O. S. Vodorez // AIP Conference Proceedings. – 2010. – Vol. 1199, iss. 1. – 29th International Conference on the Physics of Semiconductors (ICPS), 27 July-1 August 2008. – Electronic text data. – Rio de Janeiro, 2008. – P. 83-84. – URL: https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/1.3295565, free (accessed 06.04.2021).

Підтвердження

Рецензія

Додано до

Згадується в