Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением
Дата
2011
ORCID
DOI
item.page.thesis.degree.name
item.page.thesis.degree.level
item.page.thesis.degree.discipline
item.page.thesis.degree.department
item.page.thesis.degree.grantor
item.page.thesis.degree.advisor
item.page.thesis.degree.committeeMember
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Український державний хіміко-технологічний університет
Анотація
В рамках теории абсолютных скоростей реакций исследован процесс термической инактивации экситонных ловушек как один из компонентов радиационной технологии модификации материалов облучением. Определены такие термодинамические параметры процесса инактивации экситонных ловушек в криокристаллах ксенона и криптона, как энергия активации, энтальпия и энтропия инактивации.
Опис
Ключові слова
электронные возбуждения, температура, давление, ван-дер-ваальсовые кристаллы
Бібліографічний опис
Огурцов А. Н. Определение термодинамических параметров процесса термической инактивации дефектов в радиационной технологии модификации кристаллов облучением / А. Н. Огурцов, О. Н. Близнюк, Н. Ю. Масалитина // Вопросы химии и химической технологии. – 2011. – № 2. – С. 144-146.