Электронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂

Скорочена інформація про документ
dc.contributor.authorБагмут, Александр Григорьевичru
dc.contributor.authorБагмут, Иван Александровичru
dc.contributor.authorЖучков, Василий Анатольевичru
dc.contributor.authorШевченко, М. О.ru
dc.date.accessioned2017-08-11T08:57:19Z
dc.date.available2017-08-11T08:57:19Z
dc.date.issued2012
dc.description.abstractМетодами просвечивающей электронной микроскопии и электронографии исследованы пленки диоксида гафния, полученные импульсным лазерным распылением Hf в атмосфере кислорода. Выявлены условия образования аморфной фазы, а также тетрагональной и моноклинной модификации HfO₂. На ориентирующих подложках кристаллическая фаза формируется при более низких температурах по сравнению с нейтральными подложками. Эффект эпитаксии проявляется для тетрагональной модификации HfO₂. При отжиге на воздухе аморфная пленка кристаллизуется с образованием моноклинной модификации HfO₂.ru
dc.identifier.citationЭлектронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂ / А. Г. Багмут [и др.] // Письма в Журнал технической физики. – 2012. – Т. 38, вып. 1. – С. 45-50.ru
dc.identifier.urihttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/30779
dc.language.isoru
dc.publisherНаукаru
dc.subjectдиоксид гафнияru
dc.subjectмодификация моноклиннаяru
dc.subjectэпитаксия гидриднаяru
dc.subjectнаслаивание молекулярноеru
dc.subjectосаждение импульсноеru
dc.subjectосаждение лазерноеru
dc.titleЭлектронно-микроскопическое исследование тонкопленочных лазерных конденсатов HfO₂ru
dc.typeArticleen

Файли

Контейнер файлів

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз
Назва:
Pisma_v_ZhTF_2012_38_1_Bagmut_Elektronno-mikroskopicheskoe.pdf
Розмір:
574.15 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Опис:
Завантажити

Ліцензійна угода

Зараз показуємо 1 - 1 з 1
Ескіз недоступний
Назва:
license.txt
Розмір:
11.23 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра "Фізика"
Кафедра "Комп'ютерне моделювання процесів та систем"