Кафедра "Фізика"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7578

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/tef

Кафедра "Фізика" створена у 2016 році шляхом об'єднання кафедри "Загальна та експериментальна фізика" і кафедри "Теоретична та експериментальна фізика", заснованої в 1972 році. .

У 1885 р. для викладання в інституті курсу фізики на посаду ад’юнкт-професора був запрошений магістр фізики приват-доцент Харківського університету Олександр Костянтинович Погорілко. У різні роки на кафедрі працювали видатні вчені-фізики: Пільчиков Н. Д., Латишев Г. Д., Обреїмов І. В., Пінес Б. Я., Ландау Л. Д., Корсунський М. І., Веркин Б. І., Дмитренко І. М., Базакуца В. А., Кулик І. О., Янсон І. К., Басс Ф. Г. Гуревич Ю. Г., Косевич В. М., Кукушкін Л. С. та ін.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора та 16 кандидатів фізико-математичних наук, 2 кандидата технічних наук, 1 кандидат педагогічних наук; 2 співробітника мають звання професора, 12 – доцента.

Переглянути

Фільтри

1993 - 199922010 - 201916

Налаштування

Кінцева дата: 2019ORCID: search.filters.orcid.https://orcid.org/0000-0003-2578-1109

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 18
  • Ескіз
    Публікація
    Percolation effects in semiconductor IV-VI based solid solutions and thermoelectric materials science
    (Scrivener Publishing LLC, 2019) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.
    The chapter reviews the present status of our experimental studies aimed at con firming the existence of anomalies in the dependences of thermoelectric (TE) and other properties on composition in semiconductor IV-VI–based solid solutions in the region of small impurity concentration. For all studied solid solutions, we observed an anomalous behavior of the isotherms of electrical conductivity, phonon thermal conductivity, heat capacity, charge carrier mobility, microhardness, the Seebeck coefficient, and TE figure of merit in the vicinity of (0.5–1) at. % of impurity. We believe that the observed phenomenon is connected with the existence of percolation-type phase transitions corresponding to the transition from dilute solid solutions to the impurity continuum and is accompanied by self-organization processes. The non-monotonic behavior of the concentration dependences of the TE properties and the underlying percolation phenomena should be taken into consideration when developing efficient TE materials and optimizing their properties. To get additional confirmation of the assumption regarding the universal character of phase transitions connected with the formation of the impurity continuum, it is necessary to expand the range of objects to be studied as well as spectrum of properties to be measured.
  • Ескіз
    Публікація
    Concentration dependences of galvanomagnetic and thermoelectric properties of Bi1-xSbx thin films in the range x = 0 – 0.25
    (Національна академія наук України, 2019) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.
  • Ескіз
    Публікація
    Percolation effects and self-organization processes in Bi₂(Te₁₋ₓSeₓ)₃ solid solutions
    (Easy Conferences Ltd, 2019) Rogacheva, E. I.; Shelest, T. N.; Martynova, E. V.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.
  • Ескіз
    Публікація
    Temperature and magnetic field dependences of thermoelectric properties of Bi1-xSbx solid solutions in the range x = 0 – 0.25
    (Easy Conferences Ltd, 2019) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.
  • Ескіз
    Публікація
    Size effects in transport properties of Bi1-xSbx thin films
    (Grupo Pacifico, 2018) Rogacheva, E. I.; Orlova, D. S.; Nashchekina, O. N.
  • Ескіз
    Публікація
    Electronic phase transitions in thin films of Bi1-xSbx solid solutions
    (Grupo Pacifico, 2018) Rogacheva, E. I.; Doroshenko, A. N.; Nashchekina, O. N.
  • Ескіз
    Публікація
    Influence of Composition on the Thermoelectric Properties of Bi1-xSbx Thin Films
    (IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Doroshenko, A. N.; Sipatov, A. Yu.; Dresselhaus, M. S.
  • Ескіз
    Публікація
    Size Effects in Transport Properties of PbSe Thin Films
    (IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Menshikova, S. I.
  • Ескіз
    Публікація
    Quantum Size Effects in Transport Properties of Bi2Te3 Topological Insulator Thin Films
    (IOP Publishing Ltd, 2016) Rogacheva, E. I.; Budnik, A. V.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.; Dresselhaus, M. S.
  • Ескіз
    Публікація
    Thickness-dependent quantum oscillations of the transport properties in bismuth selenide thin films
    (Elsevier, 2019) Rogacheva, E. I.; Menshikova, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Nashchekina, O. N.
    The objects of the present study were thin n-Bi2Se3 films with thicknesses d = 10–100 nm, grown by thermal evaporation of n-Bi2Se3 crystals in vacuum onto heated glass substrates. The room temperature d-dependences of the Seebeck coefficient, the Hall coefficient, and the electrical conductivity of the films exhibited an oscillatory behavior, which we attribute to quantum size effects. Such interpretation of the results is supported by the fact that experimentally determined values of the oscillation period are in quite good agreement with the theoretically calculated ones. We suggest that the large amplitude and undamped character of the oscillations in the studied range of thicknesses are connected with the topologically protected gapless surface states of Bi2Se3. The observed oscillatory character of the d-dependences of the transport coefficients should be taken into account when 2D-structures are applied in nanothermoelectricity and other fields of nanoscience and nanotechnology.