Кафедра "Системи інформації ім. В. О. Кравця"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/7488

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/si

Від 3 червня 2019 року кафедра має назву "Системи інформації ім. В. О. Кравця", первісна назва – "Системи інформації".

Кафедра "Системи інформації" створена 30.06.1993 року у складі факультету автоматики та приладобудування. Від 2004 року входила до складу факультету "Комп’ютерні та інформаційні технології", від 2021 року – Навчально-наукового інженерно-фізичного інституту, від 2022 року – Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".

Кафедра перейменована на честь її засновника і першого завідувача (1993-2009), кандидата технічних наук, Почесного доктора Мішкольцького університету (Угорщина), академіка Української технологічної академії, Заслуженого працівника освіти України, засновника наукової школи "Інфокомунікаційні системи та технології", професора Кравця Валерія Олексійовича. Від 1989 року по 2014 рік Кравець В. О. плідно працював на посаді проректора з навчальної роботи та міжнародних зв’язків НТУ "ХПІ".

Від 2011 року при кафедрі створено мережеву академію CISCO. Кафедра є співзасновником Учбово-наукового виробничого комплексу (УНВК), що об’єднує понад 25 установ, які працюють в галузі телекомуникації

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 2 доктора технічних наук, 1 доктор фізико-математичних наук, 5 кандидатів технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора, 5 – доцента, 1 – старшого наукового співробітника.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 10 з 11
  • Ескіз
    Документ
    Влияние стороннего импульсного электромагнитного излучения на рабочие характеристики полупроводниковых приборов
    (НТУ "ХПИ", 2007) Кравченко, Владимир Иванович; Дныщенко, Владимир Николаевич; Гирка, Юлия Николаевна; Лосев, Федор Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
    Експериментально доведено, що дія імпульсного електромагнітного випромінювання (ЕМВ) на напівпровідникові прилади (кремнієві діоди) супроводжується відхиленням їх вольт-амперних характеристик (появою зворотних відказів). Показано, що такого роду зміни робочих характеристик приладів пов'язано з генерацією власних електромагнітних коливань напівпровідникових комплектуючих приладів при їх взаємодії з токами, наведеними зовнішнім випромінюванням.
  • Ескіз
    Документ
    Воздействие стороннего электромагнитного излучения на механизмы взаимодействия поверхностных колебаний с электронами проводимости полупроводниковых структур
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения.
  • Ескіз
    Документ
    Волноводные характеристики полупроводниковой сверхрешетки в условиях влияния электромагнитного излучения
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток., обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Разработан новый механизм появления по- верхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Иссле- довано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
  • Ескіз
    Документ
    Волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий при наличии потока заряженных частиц
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Разработан новый механизм появления поверхностных электронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электромагнитного излучения. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих элементах изделий и возникновением их внутренних полей. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработа- на теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классиче- ском приближениях.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние стороннего электромагнитного излучения на спектр поверхностных колебаний полупроводниковых структур
    (НТУ "ХПИ", 2015) Кравченко, Владимир Иванович; Серков, Александр Анатольевич; Бреславец, Виталий Сергеевич; Яковенко, Игорь Владимирович
    Определены механизмы возникновения неустойчивостей собственных колебаний полупроводниковых сверхрешеток, обусловленных их взаимодействием с потоками заряженных частиц в условиях влияния внешнего электрона. Показано, что влияние импульсного электромагнитного излучения сопровождается возникновением токов в проводящих елементах изделий и возникновением их внутренних полей магнитного излучения. Разработан новый механизм появления поверхностных електронных состояний на неровной поверхности проводящих твердых тел. Исследовано влияние неоднородных свойств поверхностей проводящих твердых тел в излучающих структурах на спектральные характеристики переходного и черенковского излучения Разработана теория бесстолкновительного затухания поверхностных поляритонов в квантовом и классическом приближениях.
  • Ескіз
    Документ
    Взаимодействие потоков заряженных частиц, наведенных ЭМИ, с электромагнитными колебаниями полупроводниковых комплектующих электрорадиоизделий
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор Владимирович
    Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл-диэлектрик-полупроводник. Определены потери энергии потоков заряженных частиц, обусловленные взаимодействием такого рода, на возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
  • Ескіз
    Документ
    Возбуждение электромагнитных колебаний в полупроводниковых структурах потоками заряженных частиц
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Глухов, Евгений Владимирович
    Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий, содержащих полупроводниковые сверхрешетки. Определены выражения для инкрементов неустойчивостей электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма-поток заряженных частиц при возбуждении колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
  • Ескіз
    Документ
    Потери энергии потока заряженных частиц на возбуждение электромагнитных колебаний в полупроводниковых структурах
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Глухов, Евгений Владимирович
    Определена энергия излучения электромагнитных колебаний в системе полупроводниковая плазма – поток заряженных частиц при возбуждении колебаний в субмиллиметровом диапазоне. Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия электромагнитных колебаний и токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий, содержащих полупроводниковые сверхрешетки.
  • Ескіз
    Документ
    Неустойчивость поверхностных волн при их взаимодействии с потоком заряженных частиц в полупроводниковых структурах
    (НТУ "ХПИ", 2006) Кравченко, Владимир Иванович; Яковенко, Игорь Владимирович; Лосев, Федор Владимирович
    Предложена аналитическая модель механизма взаимодействия токов, возникающих вследствие воздействия электромагнитного излучения в проводящих элементах электрорадиоизделий с собственными электромагнитными колебаниями структур металл – диэлектрик – полупроводник. Определен инкремент неустойчивости, обусловленный взаимодействием такого рода, определяющий возбуждение колебаний в субмиллиметровом диапазоне.
  • Ескіз
    Документ
    Влияние потока заряженных частиц, наведенного электромагнитным излучением, на волноводные характеристики полупроводниковых комплектующих элетрорадиоизделий
    (НТУ "ХПИ", 2013) Кравченко, Владимир Иванович; Лосев, Федор Владимирович; Яковенко, Игорь Владимирович
    Показано, что воздействие импульсного электромагнитного излучения (ЭМИ) на электрорадио-изделия часто сопровождаются возникновением токов в проводящих элементах изделий и образованием внутренних полей. Определены энергетические потери потока заряженных частиц обусловленных их взаимодействием с собственными полями на возбуждение поверхностных поляритонов в полупроводниковых структурах.