Кафедра "Фізика металів і напівпровідників"

Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/4703

Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/fmp

Від 2002 року кафедра має назву "Фізика металів і напівпровідників", попередня назва – кафедра металофізики.

Кафедра металофізики організована в 1930 році у складі фізико-механічного факультету ХММІ. Деканом факультету був у ті роки видатний вчений-фізик, академік Іван Васильович Обреїмов.

Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут". За час існування кафедрою підготовлено близько 3000 інженерів, у тому числі і для зарубіжних країн.

У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 3 доктора та 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання професора.

Переглянути

Результати пошуку

Зараз показуємо 1 - 6 з 6

Особенности роста наноразмерных слоев Mg2Si в многослойных рентгеновских зеркалах Si/Mg2Si
(Сумський державний університет, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Электронно-микроскопическими и рентгенографическими методами исследованы особенности роста наноразмерных слоев силицида магния в многослойном рентгеновском зеркале Si/Mg2Si с периодом 14.7 нм в исходном состоянии и после отжига. Установлено, что в исходном состоянии слои силицида магния представляют собой аморфную матрицу с включениями нанокристаллической фазы силицида магния в неравновесной гексагональной модификации. Формирование силицида магния в гексагональной модификации происходит под действием механических напряжений, источником которых являются слои кремния. Отжиг многослойного рентгеновского зеркала Si/Mg2Si при Т = 723 К приводит к кристаллизации и рекристаллизации слоев силицида магния из аморфной фазы, что сопровождается уменьшением периода рентгеновского зеркала на 7.3 %.
Эволюция структуры многослойных рентгеновских зеркал Si/Mg2Si при термическом воздействии
(Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, 2016) Конотопский, Л. Е.; Копылец, Игорь Анатольевич; Севрюкова, Виктория Анатольевна; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович
Методами рентгеновской дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов исследована структура многослойного рентгеновского зеркала (МРЗ) Si/Mg2Si в исходном состоянии и после термического отжига в интервале температур 50—750⁰C. В исходном состоянии в МРЗ Si/Mg2Si слои Si – аморфные. Слои Mg2Si представляют собой аморфную матрицу с нанокристаллическими включениями Mg2Si в метастабильной гексагональной модификации. При отжиге до 450⁰C наблюдается кристаллизация слоёв Mg2Si, что сопровождается увеличением плотности силицида и, соответственно, уменьшением периода на 7,3%. Дальнейший отжиг МРЗ Si/Mg2Si приводит к кристаллизации слоёв Si в интервале температур 500—600⁰C, в результате чего период рентгеновского зеркала уменьшается на 6,36%.
Оптимизация конструкции МИС W/Si для опредления А1 в канале рентгеновского спектрометра СРМ-25
(Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, 2010) Копылец, Игорь Анатольевич; Пономаренко, А. Г.; Дергун, С. М.; Иванов, Н. Н.; Захаров, А. В.
Предложен и обоснован способ уменьшения интенсивности фона в спектрометрическом канале рентгеновского многоканального спектрометра СРМ-25 для определения содержания алюминия. Испытания показали, что благодаря изменению отношения толщины слоев многослойной интерференционной структуры (МИС) W/Si, работающей в качестве кристалла-анализатора, фон уменьшился в 7,25 раза, а нижний предел обнаружения алюминия - в 2,6 раза. Проведены испытания МИС с нанесенным сверху слоем алюминия в качестве абсорбционного фильтра
Особенности формирования короткопериодных многослойных композиций W/B4C
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2012) Копылец, Игорь Анатольевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Зубарев, Евгений Николаевич; Рощупкин, Д. В.
Методами малоугловой рентгеновской дифрактометрии в Cu-Kα-излучении и электронной микроскопии поперечных срезов изучались количественные характеристики межслоевого взаимодействия в многослойных периодических композициях W/B4C, изготовленных магнетронным напылением. Установлено, что на образование перемешанных зон на границах слоев расходуется приблизительно 0.85 nm толщины слоя вольфрама. Перемешанные слои имеют плотность 13.4 ± 0.7 g/cm3 и содержат вольфрам в связанном химически состоянии. Оценено влияние таких перемешанных зон на рентгеновскую отражательную способность многослойных композиций W/B4C. Предложен способ оценки толщины слоев при малом количестве пиков на дифрактограмме
Срезанные линейные зонные пластинки для жесткого рентгеновского излучения
(Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 2012) Артюков, И. А.; Бурцев, В. А.; Виноградов, А. В.; Девизенко, Александр Юрьевич; Калинин, Н. В.; Копылец, Игорь Анатольевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Пуха, Владимир Егорович; Савицкий, Борис Андреевич; Фещенко, Р. М.
Рассмотрены линейные зонные пластинки для жесткого (E > 10 keV) рентгеновского излучения на основе срезов многослойных покрытий W5Si3/Si, изготовленных методом магнетронного распыления. Из численных расчетов следует, что эта пара материалов обеспечивает высокую эффективность в первом и втором порядках дифракции. Экспериментально установлено, что возможен синтез многослойных структур высокого качества, содержащих сотни слоев на кремниевых и стеклянных подложках. Показано, что их срезы могут быть получены путем ионного травления многослойного покрытия через маску
Структурно-фазовые превращения в многослойных периодических композициях W-B4C с периодом 2,5 НМ при нагреве
(Харьковский национальный университет им. В. Н. Каразина; Научный физико-технологический центр МОН и НАН Украины, 2011) Копылец, Игорь Анатольевич; Зубарев, Евгений Николаевич; Кондратенко, Валерий Владимирович; Ананьев, К. А.
В работе рентгеноструктурными и электронномикроскопическими методами изучались изменения в структуре и фазовом составе многослойной пленочной композиции, состоящей из чередующихся слоев W и B4C с толщиной бислоя 2,5 нм, при нагреве в вакууме в диапазоне температур 100 – 1000°С. Обнаружено, что в многослойном покрытии W-B4C при отжиге происходят следующие фазовые превращения: до 600°С образуются карбиды вольфрама (прежде всего W3C), свыше 600°С карбиды замещаются боридами W2B и WB, а при температуре выше 950°С образуются WB4 и W2B5. Эти превращения сопровождаются объемными изменениями: толщина слоев B4C уменьшается, а толщина W-содержащих слоев возрастает так, что при отжиге до 1000°С доля W-содержащего слоя в периоде увеличивается от 0,38 до 0,51. При этом величина периода до 600°С увеличивается на 1%, а при дальнейшем нагреве возвращается к приблизительно прежней величине. При 950 – 1000°С происходит разрушение многослойной структуры