Кафедра "Мікро- та наноелектроніка"
Постійне посилання колекціїhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/2787
Офіційний сайт кафедри http://web.kpi.kharkov.ua/mne
Від 2022 року (НАКАЗ 31 ОД від 21.01.2022 року) кафедра має назву "Мікро- та наноелектроніка", первісна назва – "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики". З 1.09.2024 р. (НАКАЗ 303 ОД від 28.08.2024 року ) кафедра "Радіоелектроніка" приєднана до кафедри "Мікро- та наноелектроніка"
Кафедра "Фізичне матеріалознавство для електроніки та геліоенергетики" була заснована у 1988 році з ініціативи Заслуженого діяча науки та техніки України, доктора фізико-математичних наук, профессора Бойка Бориса Тимофійовича.
За час існування кафедри в галузі електроніки на основі тонкоплівкових моделей були розроблені: нові технологічні методи виготовлення надійних конденсаторів на основі танталу та ніобію, елемент захисту електронних схем від імпульсних перепадів напруги, що не має світових аналогів, резистивний газовий датчик адсорбційно-напівпровідникового типу для аналізу навколишнього середовища тощо.
Кафедра входить до складу Навчально-наукового інституту комп'ютерного моделювання, прикладної фізики та математики Національного технічного університету "Харківський політехнічний інститут".
У складі науково-педагогічного колективу кафедри працюють: 1 доктор технічних наук, 4 кандидата технічних наук, 2 кандидата фізико-математичних наук; 3 співробітника мають звання доцента, 2 – старшого наукового співробітника, 1 – старшого дослідника.
Переглянути
Результати пошуку
Документ Система відбору потужності на основі підвищувальних перетворювачів для фотоелектричної станції(ДП "Український інститут інтелектуальної власності", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Дроздов, Антон Миколайович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Мінакова, Ксенія ОлександрівнаСистема відбору потужності фотоелектричної станції складається з елементів, що здійснюють відбір потужності від ФЕМ і елемента для перетворення постійного струму, що генерується ФЕМ у електроенергію промислової частоти. Відбір потужності від ФЕМ здійснюється набором підвищувальних перетворювачів, які збільшують генеровану ФЕМ постійну напругу до значень 600-700В, підвищувальні перетворювачі виконані за резонансною схемою з цифровим керуванням реалізацією алгоритму стеження за точкою максимальної потужності ФЕМ під керуванням мікроконтролера та об'єднані в інформаційну мережу для моніторингу параметрів ФЕМ і самодіагностики, підвищувальні перетворювачі скомутовані паралельно для забезпечення можливості безперебійної роботи системи в разі відмови одного або декількох ФЕМ, а для перетворення генерованої ФЕМ постійної напруги, в електроенергію промислової частоти масив послідовно з'єднаних мікроінверторів замінений на потужний інвертор промислового класу з можливістю зовнішнього керування.Документ Методи дослідження структури тонких плівок(ФОП Бровін О. В., 2021) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій Семенович; Дроздов, Антон Миколайович; Дроздова, Ганна АнатоліївнаКнига являє собою підручник для студентів старших курсів вищих навчальних закладів, присвячений найсучаснішим методам дослідження поверхні твердого тіла - скануючій електронній та зондовій мікроскопії. У підручнику представлена сучасна наукова інформація про можливості атомно-силової та електронної скануючої мікроскопії. Наведено характерні особливості методик атомно-силової мікроскопії, які дозволяють отримувати додаткову інформацію про властивості досліджуваних об'єктів. Розглянуто принцип роботи електронного скануючого мікроскопа і приклади реалізації різних методик для дослідження мікроскопічних об'єктів. Продемонстровані методичні прийоми усунення спотворень одержуваних зображень.Документ Конспект лекцій з дисципліни "Технологічні основи електроніки". Частина 1(ТОВ "Друкарня Мадрид", 2021) Зайцев, Роман Валентинович; Дроздов, Антон Миколайович; Зайцева, Лілія Василівна; Хрипунов, Геннадій СеменовичМікроелектроніка як сучасний напрямок проектування та виробництва електронної аппаратури різного призначення є каталізатором науково-технічного прогрессу. Автоматизація виробництва, створення сенсорної техніки, розвиток автономних систем неможливі без використання інтегральниї мікросхем, мікропроцессорів та мікросборок. Технологія виготовлення виробів мікроелектроніки забезпечує в першу чергу високий рівень продуктивності праці, комплексну мініатюризацію елекронної апаратури, автоматики, обчислювальної техніки і включає в себе передовий досвід та досягнення багатьох галузей науки і техніки: від фізики взаємодії атомних та ядерних частинок з речовиною до мікрометалургії та приладобування. З кожним роком напівпровідники все більше проникають в різні галузі науки і техніки. З приладів, де використовуються напівпровідники, які вже завоювали собі місце в житті, можна назвати такі: 1. Випрямлячі змінного струму. 2. Діоди, тріоди та складніші кристалічні системи, застосовувані в приладах для радіозв’язку та телебачення. 3. Фото опори, фотодіоди, фото тріоди, вентильні фотоелементи, що використовуються в мікросхемах автоматики і телемеханіки, в пристроях, що керують атомно-енергетичними установками, рухом супутників Землі, космічних ракет і кораблів. 4. Термогенератори, фотоелементи, ядерні або атомні батареї, які безпосередньо перетворюють теплову, світлову і ядерну енергію в електричну. Вони є основою напівпровідникової енергетики. В рамках дисципліни розглядаються загальна характеристика технологічного процесу виготовлення напівпровідникових матеріалів, технологiя напівпровідникових та гібридних iнтегральних мiкросхем, основні технологічні базові процеси.Документ Виготовлення базових шарів гнучких сонячних елементів методом осадження у квазізамкненому об'ємі плівок сульфіду та телуриду кадмію(Луцький національний технічний університет, 2019) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Хрипунов, Геннадій Семенович; Харченко, Микола Михайлович; Дроздов, Антон Миколайович; Дроздова, Ганна АнатоліївнаЕкспериментальними дослідженнями критичних температур конденсації при осадженні плівок сульфіду та телуриду кадмію в квазізамкненому об'ємі визначені режими, в яких осадження відбувається в умовах близьких до термодинамічно рівноважних, а температура підкладки нижче температури термодеструкції поліімідних плівок фірми Upilex. Для технічної реалізації цих умов розроблена адаптована до існуючого вакуумного обладнання підприємств електронної промисловості технологічна оснастка, що дозволяє в єдиному технологічному циклі послідовно осаджувати шари сульфіду і телуриду кадмію в умовах близьких до термодинамічно рівноважних. При температурі осадження 434 °С на поліімідних підкладках з плівковим шаром ITO поверх якого нанесений нанорозмірний прошарок ZnO були отримані шари CdS товщиною 0,3 мкм стабільної гексагональної модифікації. На поверхні шарів CdS при температурах нижче 440 °С були сформовані шари CdTe товщиною 4 мкм стабільної кубічної модифікації. Досягнуті параметри кристалічної структури плівок сульфіду та телуриду кадмію, виготовлених методом квазізамкненого об’єму дозволяють використовувати такі напівпровідникові шари в якості базових при розробці високоефективних гнучких сонячних елементів.Документ Система керування генератора наносекундних імпульсів(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Дроздов, Антон Миколайович; Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Хрипунов, Геннадій СеменовичДокумент Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Вакуумна техніка"(Цифра Прінт, 2020) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Кудій, Дмитро Анатолійович; Дроздов, Антон МиколайовичРеалізація сучасних технологічних процесів в галузі мікро- та наноелектроніки безпосередньо пов’язані з вакуумною технікою. Для успішної підготовки спеціалістів, що будуть здатні працювати на сучасних підприємствах електронної промисловості, опанування навичок роботи з вакуумною технікою є необхідним. Виконання лабораторних робіт з курсу "Вакуумна техніка" має сприяти більш глибокому засвоєнню теоретичного матеріалу і закріпленню знань, отриманих студентами на лекціях, а також сприяти розвитку навичок наукового дослідження. Для успішного виконання лабораторної роботи кожен студент має перед виконанням роботи попередньо уважно вивчити теоретичний бік явища, на якому базується робота. У методичних вказівках наведено опис лабораторних робіт, які дають уяву про техніку отримання й вимірювання вакууму. Наведено теоретичний матеріал, необхідний для яснішого розуміння й виконання практикуму, а також вказані необхідні завдання й порядок їх виконання. Для самостійного додаткового вивчення наведено список літературних джерел і контрольні запитання до кожної лабораторної роботи, а також наведено додаток з необхідними довідковими даними. Якщо студент не встигає захистити лабораторну роботу до кінця заняття, дозволяється оформити звіт (графіки) з використанням комп’ютерних програм (Excel, Origin) до наступного заняття. Лабораторна робота вважається виконаною після успішно проведеного захисту шляхом співбесіди студента з викладачем (захист звіту + оцінка за теоретичний матеріал). Захист звіту: мета роботи + експериментальна методика + висновки. Теоретичний матеріал: знання фізичних явищ, які вивчалися у даній лабораторній роботі (закони, формули). Приступати до виконання лабораторної роботи дозволяється тільки після отримання допуску від викладача.Документ Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Технологічні основи електроніки"(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Кіріченко, Михайло Валерійович; Зайцев, Роман Валентинович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Дроздов, Антон МиколайовичДокумент Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Фізика твердого тіла". Частина 2(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Дроздов, Антон МиколайовичДокумент Методичні вказівки до лабораторних робіт з дисципліни "Фізика твердого тіла". Частина 1(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Зайцев, Роман Валентинович; Кіріченко, Михайло Валерійович; Мінакова, Ксенія Олександрівна; Дроздов, Антон МиколайовичДокумент Методичні вказівки до лекційних занять з дисципліни "Чисельні методи в фізиці"(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2019) Мінакова, Ксенія Олександрівна; Зайцев, Роман Валентинович; Дроздов, Антон Миколайович; Кіріченко, Михайло Валерійович