Кафедри
Постійне посилання на розділhttps://repository.kpi.kharkov.ua/handle/KhPI-Press/35393
Переглянути
6 результатів
Результати пошуку
Публікація Quantum Size Effects and Transport Phenomena in PbSe Quantum Wells and PbSe/EuS Superlattices(AIP Publishing LLC, 2013) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Olkhovskaya, S. I.; Sipatov, A. Yu.; Dresselhaus, M. S.It is established that the room-temperature dependences of transport properties on the total thickness of PbSe layers d in PbSe/EuS superlattices exhibit an oscillatory behavior. It is shown that the oscillation period Δd practically coincides with the period of the thickness oscillations observed earlier in single PbSe/EuS quantum well. The non-monotonic character of these dependences is attributed to quantum size effects. The theoretically estimated and experimentally determined Δd values are in good agreement.Документ Размерные эффекты в тонких пленках PbSe(Институт термоэлектричества Национальной академии наук, 2012) Рогачева, Елена Ивановна; Нащекина, Ольга Николаевна; Ольховская, Светлана Ивановна; Дресселхаус, М. С.Объекты исследования – тонкие пленки PbSe толщинами d = 5.5 – 410 нм, выращенные методом термического испарения в вакууме стехиометрических кристаллов p-PbSe на подложках KCl и покрытые слоем EuSe. Получены толщинные зависимости коэффициента Зеебека, коэффициента Холла, электропроводности, подвижности носителей заряда и термоэлектрической мощности при комнатной температуре. Наблюдается инверсия знака проводимости с p на n при увеличении толщины пленки до ~ 20 нм. На d-зависимостях транспортных свойств можно выделить монотонную и осциллирующую составляющие, наличие которых связывается с проявлением классического и квантового размерных эффектов, соответственно. Определены периоды осцилляций Δd для электронного и дырочного газов. Теоретический расчет Δd в предположении размерного квантования электронного и дырочного спектров и оценка монотонной компоненты электропроводности с использованием теории Фукса-Зондхеймера находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными.Документ Холлівська рухливість тонких плівок селеніду свинцю(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2012) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена ІванівнаДокумент Температурний коефіцієнт опору тонких плівок селеніду свинцю(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2011) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена Іванівна; Сіпатов, О. Ю.; Федоров, О. Г.Документ Визначення параметру дзеркальності та середньої довжини вільного пробігу носіїв заряду в тонких плівках селеніду свинцю(Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут", 2010) Ольховська, Світлана Іванівна; Рогачова, Олена ІванівнаПублікація Size Effects in Transport Properties of PbSe Thin Films(The Minerals, Metals & Materials Society, 2017) Rogacheva, E. I.; Nashchekina, O. N.; Menshikova, S. I.This paper presents an overview and analysis of our earlier obtained experimental results on the dependences of kinetic properties of single PbSe quantum wells and PbSe-based superlattices on the PbSe layer thickness d. The observed oscillatory character of these dependences is attributed to quantum size effects due to electron or hole confinement in quantum wells. Some general regularities and factors that determine the character of these quantum size effects are established. The influence of the oxidation processes and doping on the d-dependences of the transport properties is revealed. A periodic change in the conductivity type related to quantum size oscillations is detected. It is shown that the experimentally determined values of the oscillation period Dd are in good agreement with the results of theoretical calculations based on the model of a rectangular quantum well with infinitely high walls, taking into account the dependence of the Fermi energy eF on d and the availability of subbands below eF. It is established that the Dd value for the superlattices is practically equal to the Dd value observed for the single PbSe thin film.